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公开(公告)号：CN112713181B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011581167.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种气体传感器的制备方法及气体传感器，所述方法包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有硅衬底和表面的缓冲层；在所述缓冲层表面生长一N型半导体层；刻蚀所述N型半导体层、缓冲层、以及部分硅衬底，形成沟槽；在所述N型半导体层表面的两侧形成电极；在所述N型半导体层、缓冲层、以及硅衬底表面形成一导电层；去除多余的导电层，形成覆盖沟槽处晶圆的导电层；在所述导电层处生长纳米线，在沟槽中形成悬空纳米线。本发明提供了一种具有较低接触电阻和工作电压，且无需退火处理的，基于原位桥接生长ZnO纳米线的气体传感器，有利于实现大规模制备高性能片上气体传感器。
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公开(公告)号：CN112763549B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011581380.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种气敏传感器的制备方法，包括：提供一α‑Fe2O3纳米线；在所述α‑Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线；对所述α‑Fe2O3/ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α‑Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。本发明采用在给核壳纳米线搭上电极后再进行纳米线枝化的方法，结合了粉体纳米结构和单根纳米结构的优势，克服了在复杂结构上搭盖电极容易被戳破的困难。制备工艺可重复性强，成品率高，有利于规模化制备。有效地提高气敏传感器对H2S气体响应，且具有利于小型集成化、高比表面积以及优良稳定性等优点，提升了对气体的敏感性。
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公开(公告)号：CN112763549A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011581380.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种气敏传感器的制备方法，包括：提供一α‑Fe2O3纳米线；在所述α‑Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线；对所述α‑Fe2O3/ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α‑Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。本发明采用在给核壳纳米线搭上电极后再进行纳米线枝化的方法，结合了粉体纳米结构和单根纳米结构的优势，克服了在复杂结构上搭盖电极容易被戳破的困难。制备工艺可重复性强，成品率高，有利于规模化制备。有效地提高气敏传感器对H2S气体响应，且具有利于小型集成化、高比表面积以及优良稳定性等优点，提升了对气体的敏感性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713181A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011581167.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种气体传感器的制备方法及气体传感器，所述方法包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有硅衬底和表面的缓冲层；在所述缓冲层表面生长一N型半导体层；刻蚀所述N型半导体层、缓冲层、以及部分硅衬底，形成沟槽；在所述N型半导体层表面的两侧形成电极；在所述N型半导体层、缓冲层、以及硅衬底表面形成一导电层；去除多余的导电层，形成覆盖沟槽处晶圆的导电层；在所述导电层处生长纳米线，在沟槽中形成悬空纳米线。本发明提供了一种具有较低接触电阻和工作电压，且无需退火处理的，基于原位桥接生长ZnO纳米线的气体传感器，有利于实现大规模制备高性能片上气体传感器。
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公开(公告)号：CN112701156A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011606191.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种背栅晶体管，包括：一周期性孔洞基底，所述周期性孔洞基底由一硅衬底以及所述硅衬底表面的介电层组成，所述介电层表面具有周期性孔洞阵列；一源极，所述源极位于所述周期性孔洞基底上；一漏极，所述漏极位于所述周期性孔洞基底上，且与所述源极分立于一孔洞两侧；一栅极，所述栅极为悬空的β‑Ga2O3纳米带，连接所述源极和漏极。本发明解决了β‑Ga2O3难以应用于沟道材料的问题，并提供了一种高效能的背栅晶体管。
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公开(公告)号：CN114047230A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111203117.6
申请日：2021-10-15
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种支化纳米线结构的气敏纳米材料的制备方法，包括如下步骤：提供NH4F的溶液；将金属铌片置于溶液中进行纳米线生长，在铌片表面生长出Nb2O5纳米线；采用原子层沉积技术在生长有Nb2O5纳米线的铌片表面制备ZnO壳层薄膜；提供6.25～25mM的Zn(NO3)2和6.25～25mM的HMT的混合溶液；将表面包覆ZnO和Nb2O5纳米线的铌片放置于混合溶液中，在其表面支化生长出ZnO支化纳米线；将Nb2O5‑ZnO支化纳米线从铌片衬底上转移分散至去离子水中，获得Nb2O5‑ZnO支化纳米线悬浮液；再将得到的悬浮液滴石英片衬底上，干燥并冷却后得到Nb2O5‑ZnO支化纳米线结构的气敏纳米材料。
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公开(公告)号：CN112713183A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011581584.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/205 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112713183B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011581584.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/205 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。
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