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公开(公告)号：CN116315531A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310390235.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明提供一种小型化四分之一模正方形SIW谐振腔及带通滤波器。该小型化四分之一模正方形SIW谐振腔包括：一个四分之一模正方形SIW腔体，在所述四分之一模正方形SIW腔体的其中一个顶点处设置有一个金属通孔以形成电壁，沿着与设置有金属通孔的顶点呈对角的另一顶点所在的两条邻边边缘处设置有周期性金属通孔阵列，在所述周期性通孔阵列的一侧刻蚀有整体呈“L”形的缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模正方形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割正方形SIW谐振腔得到。
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公开(公告)号：CN116315537A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310357328.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明涉及电磁场微波技术领域，具体为带通滤波器设计方法、扇形微带贴片及带通滤波器。本发明的带通滤波器设计通过采用扇形微带贴片双模谐振器作为核心谐振单元，根据设定的阶数选择扇形微带贴片谐振器的数量和级联结构，从而实现了带通滤波器的便捷设计，本发明提出的带通滤波器具备选择性更好，尺寸更小、结构更紧凑、简单易加工、成本低等优点。尤其提出的扇形微带贴片谐振器和四分之一波长均匀阻抗谐振器混合级联设计的带通滤波器在具备以上优良性能的同时还拥有宽阻带特性，且本发明中提出的带通滤波器都能够应用于5G滤波器的N79频段(4.4‑5.0GHz)，具有良好的适配性。
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公开(公告)号：CN118431761A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410551527.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明涉及一种六边形结构的三频带频率选择表面及设计方法，包括电介质基板和金属图案层，所述金属图案层包括六个基本单元，所述基本单元呈锐角三角形结构，六个所述基本单元的顶点向内、且圆周阵列，六个基本单元组合后呈六边形结构，对应六边形结构所述电介质基板呈六边形结构；基本单元包括曲折线A、曲折线B和曲折线C，所述曲折线A、曲折线B和曲折线C相互平行，曲折线A、曲折线B和曲折线C的起点连接，曲折线A、曲折线B和曲折线C的尾部断开，对向设置的两个基本单元之间采用交叉偶极子结构行连接。本发明相比较其它使用同心环形结构的三频带频率选择表面缩小了尺寸、抗外力效果更强且具备优异的角稳定性和极化稳定性。
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公开(公告)号：CN116526096A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310370181.6
申请日：2023-04-06
Applicant: 信阳师范学院
Abstract: 本发明涉及电磁场微波技术领域，具体为一种基于扇形贴片谐振器的双模带通滤波器及其设计方法。本发明的基于扇形贴片谐振器的双模带通滤波器通过采用扇形金属贴片，从而激励扇形谐振腔内工作模式2和工作模式3同时发生谐振从而作为双模谐振时的工作模式。相较于传统的双模滤波器，减少了扰动结构，使加工更为便捷，且使得滤波器的尺寸更小。并且，采用平行设置的微带阶梯阻抗馈电，使得仿真测试和使用连接时更为便捷。
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公开(公告)号：CN116315537B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310357328.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明涉及电磁场微波技术领域，具体为带通滤波器设计方法、扇形微带贴片及带通滤波器。本发明的带通滤波器设计通过采用扇形微带贴片双模谐振器作为核心谐振单元，根据设定的阶数选择扇形微带贴片谐振器的数量和级联结构，从而实现了带通滤波器的便捷设计，本发明提出的带通滤波器具备选择性更好，尺寸更小、结构更紧凑、简单易加工、成本低等优点。尤其提出的扇形微带贴片谐振器和四分之一波长均匀阻抗谐振器混合级联设计的带通滤波器在具备以上优良性能的同时还拥有宽阻带特性，且本发明中提出的带通滤波器都能够应用于5G滤波器的N79频段(4.4‑5.0GHz)，具有良好的适配性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117317560A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405502.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 信阳师范学院
Abstract: 本发明提供了一种基于SIW和带状线的混合谐振器及滤波器，其中，基于SIW和带状线的混合谐振器包括：SIW谐振器以及QWSLR谐振器；所述QWSLR谐振器嵌入设置在SIW谐振器内。将四分之一波长带线谐振器QWSLR巧妙地嵌入到单个SIW谐振器的腔体中，具有唯一的金属化盲孔和四分之一波长带线，具有固有的灵活性，允许与SIW腔灵活集成，并对基于SIW和带状线的混合谐振器进行分析，验证SIW谐振器以及QWSLR谐振器的磁耦合性，保留了SIW的优点，并提供了高选择性、极其紧凑的尺寸和良好的带宽等优点。由基于SIW和带状线的混合谐振器设计的滤波器，不仅具有将SIW与QWSLR相结合的混合滤波器的屏蔽结构，而且还具有将平面结构与SIW谐振器相结合的复合滤波器的灵活性。
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公开(公告)号：CN116435731A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310414461.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构及滤波器，包括N个谐振器，谐振器包括顶层金属层、中间介质层、底层金属层，顶层金属层和底层金属层相互平行，中间介质层、顶层金属层和底层金属层对应开设有过孔，过孔垂直开设，过孔为圆形通孔，过孔的内环面设置有金属镀层，金属镀层与底层金属层相接，形成短路端；N个谐振单过孔设置金属层，与底层金属板相接，形成短路端。元之间设置有耦合线，耦合线的数量为N‑1，相邻两个谐振器通过耦合线连接，耦合线为矩形结构。本发明设置耦合线，通过调控耦合线的位置引入主模的电耦合路径同时抑制寄生通带的电耦合路径，实现高带外抑制的性能，电耦合结构灵活，而且电路较为简单。
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公开(公告)号：CN105762448B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610278214.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐振腔。基片集成波导谐振腔包括介质基片、设置在介质基片正面和反面的两层金属层，以及沿介质基片边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔；基片集成波导两端设有输入端口和输出端口，外围金属化通孔围成的区域内设有多组内部金属化通孔，内部金属化通孔包括共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层上开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构。本发明可通过调整非谐振节点结构的尺寸来控制电耦合强度，通过调整感性窗的宽度来控制磁耦合强度，从而控制传输零点位于上阻带还是下阻带。
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公开(公告)号：CN105762448A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610278214.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/2002
Abstract: 本发明公开了一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐振腔。基片集成波导谐振腔包括介质基片、设置在介质基片正面和反面的两层金属层，以及沿介质基片边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔；基片集成波导两端设有输入端口和输出端口，外围金属化通孔围成的区域内设有多组内部金属化通孔，内部金属化通孔包括共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层上开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构。本发明可通过调整非谐振节点结构的尺寸来控制电耦合强度，通过调整感性窗的宽度来控制磁耦合强度，从而控制传输零点位于上阻带还是下阻带。
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