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公开(公告)号：CN116315531A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310390235.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明提供一种小型化四分之一模正方形SIW谐振腔及带通滤波器。该小型化四分之一模正方形SIW谐振腔包括：一个四分之一模正方形SIW腔体，在所述四分之一模正方形SIW腔体的其中一个顶点处设置有一个金属通孔以形成电壁，沿着与设置有金属通孔的顶点呈对角的另一顶点所在的两条邻边边缘处设置有周期性金属通孔阵列，在所述周期性通孔阵列的一侧刻蚀有整体呈“L”形的缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模正方形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割正方形SIW谐振腔得到。
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公开(公告)号：CN116435731A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310414461.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构及滤波器，包括N个谐振器，谐振器包括顶层金属层、中间介质层、底层金属层，顶层金属层和底层金属层相互平行，中间介质层、顶层金属层和底层金属层对应开设有过孔，过孔垂直开设，过孔为圆形通孔，过孔的内环面设置有金属镀层，金属镀层与底层金属层相接，形成短路端；N个谐振单过孔设置金属层，与底层金属板相接，形成短路端。元之间设置有耦合线，耦合线的数量为N‑1，相邻两个谐振器通过耦合线连接，耦合线为矩形结构。本发明设置耦合线，通过调控耦合线的位置引入主模的电耦合路径同时抑制寄生通带的电耦合路径，实现高带外抑制的性能，电耦合结构灵活，而且电路较为简单。
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公开(公告)号：CN220400873U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202320809784.7
申请日：2023-04-12
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本实用新型提供一种小型化四分之一模正方形SIW谐振腔及带通滤波器。该小型化四分之一模正方形SIW谐振腔包括：一个四分之一模正方形SIW腔体，在所述四分之一模正方形SIW腔体的其中一个顶点处设置有一个金属化通孔以形成电壁，沿着与设置有金属通孔的顶点呈对角的另一顶点所在的两条邻边边缘处设置有周期性金属通孔阵列，在所述周期性通孔阵列的一侧刻蚀有整体呈“L”形的缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模正方形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割正方形SIW谐振腔得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220474866U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202320867684.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 信阳师范学院 , 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本实用新型涉及一种N阶四分之一波长高带外抑制滤波器结构及滤波器，包括N个谐振器，谐振器包括顶层金属层、中间介质层、底层金属层，顶层金属层和底层金属层相互平行，中间介质层、顶层金属层和底层金属层对应开设有过孔，过孔垂直开设，过孔为圆形通孔，过孔的内环面设置有金属镀层，金属镀层与底层金属层相接，形成短路端；N个谐振单过孔设置金属层，与底层金属板相接，形成短路端。元之间设置有耦合线，耦合线的数量为N‑1，相邻两个谐振器通过耦合线连接，耦合线为矩形结构。本实用新型设置耦合线，通过调控耦合线的位置引入主模的电耦合路径同时抑制寄生通带的电耦合路径，实现高带外抑制的性能，电耦合结构灵活，而且电路较为简单。
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公开(公告)号：CN114744386A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210395638.4
申请日：2022-04-15
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明提供一种四分之一模扇形SIW谐振腔及可扩展阶数的四分之一模扇形SIW带通滤波器。该谐振腔包括一个四分之一模扇形SIW腔体，在所述四分之一模扇形SIW腔体的圆心处设置有一个金属通孔以形成电壁，在所述四分之一模扇形SIW腔体上沿圆周排列分布有金属通孔阵列，在所述四分之一模扇形SIW腔体上沿圆周还刻蚀有环形缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模扇形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割圆形SIW谐振腔得到。
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公开(公告)号：CN113277514A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110676152.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 信阳师范学院
IPC: C01B32/949 , B01J27/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种Mo2C纳米材料的简易制备方法，具体为：S1：将0.3g钼酸铵和0.5g蔗糖分别加入20ml的去离子水中；S2：将S1得到的溶液放在80℃真空干燥箱中干燥，收集干燥以后得到的粉体样品；S3：将S2收集得到的粉体材料在管式炉中800℃烧结5h，升温速率是5℃min‑1，最终得到Mo2C纳米材料。相较于其他制备Mo2C材料的方法，该方法原料廉价易得；在合成过程中条件简单易控；制备效率高，具有良好的应用和产业化前景。
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公开(公告)号：CN113707884A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110695278.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01M4/66 , H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种3D Mo2C‑Mo3N2/rGO异质结构材料的原位制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：S1：将聚苯乙烯球均匀分散到去离子水和无水乙醇的混合液中，然后分别加入四水合钼酸铵和蔗糖，充分搅拌；S2：将氧化石墨烯和十六烷基三甲基溴化铵加入去离子水中，超声处理至分散均匀；S3：将S2得到的溶液缓慢加入到S1得到的溶液，然后将其作为喷雾干燥的前驱液进行喷雾干燥处理；S4：将S3得到的产物在管式炉中进行碳化处理；S5：将三聚氰胺与S4得到的产物分别放入管式炉上游和中间部位，通过氮化反应得到3D Mo2C‑Mo3N2/rGO异质结构材料。本发明的制得的3D Mo2C‑Mo3N2/rGO样品可控性好，结晶度高。将其应用于锂硫电池的正极材料展现出优异的倍率性能和循环性能。
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公开(公告)号：CN217405672U
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202220870494.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本实用新型提供一种四分之一模扇形SIW谐振腔及带通滤波器。该谐振腔包括一个四分之一模扇形SIW腔体，在所述四分之一模扇形SIW腔体的圆心处设置有一个金属通孔以形成电壁，在所述四分之一模扇形SIW腔体上沿圆周排列分布有金属通孔阵列，在所述四分之一模扇形SIW腔体上沿圆周还刻蚀有环形缝隙以形成磁壁；其中，所述四分之一模扇形SIW腔体为沿互为垂直的等效磁壁切割圆形SIW谐振腔得到。
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