捆包用缓冲体和包装体
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101583545B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200780050154.X

    申请日:2007-07-06

    CPC classification number: H01L21/67369 B65D5/5088 H01L21/67386

    Abstract: 本发明提供一种可以有效地吸收落下时的冲击的捆包用缓冲体和包装体。在捆包时与精密基板收纳容器(3)抵接的抵接部(25)以及从具有该抵接部(25)的底部(21)的外周缘直立而隆起的外周壁(22)之间,在相对于精密基板收纳容器(3)离开抵接部(25)的位置上形成外周底部(26),在该外周底部(26)和抵接部(25)之间形成阶梯部(27)。由此,在受到冲击时,阶梯部(27)垮塌,抵接部(25)相对于外周底部(26)适当地移动,可以有效地吸收冲击。因此,可以防止大的冲击瞬间性地施加到精密基板收纳容器(3)的情况,可以有效地缓冲落下冲击。

    捆包用缓冲体和包装体
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101583545A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200780050154.X

    申请日:2007-07-06

    CPC classification number: H01L21/67369 B65D5/5088 H01L21/67386

    Abstract: 本发明提供一种可以有效地吸收落下时的冲击的捆包用缓冲体和包装体。在捆包时与精密基板收纳容器(3)抵接的抵接部(25)以及从具有该抵接部(25)的底部(21)的外周缘直立而隆起的外周壁(22)之间,在相对于精密基板收纳容器(3)离开抵接部(25)的位置上形成外周底部(26),在该外周底部(26)和抵接部(25)之间形成阶梯部(27)。由此,在受到冲击时,阶梯部(27)垮塌,抵接部(25)相对于外周底部(26)适当地移动,可以有效地吸收冲击。因此,可以防止大的冲击瞬间性地施加到精密基板收纳容器(3)的情况,可以有效地缓冲落下冲击。

    晶片收容容器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101085653B

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN200710103206.7

    申请日:2007-05-10

    CPC classification number: H01L21/67346

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够不增加零部件件数、且不损坏晶片并且能够简便地收容晶片的晶片收容容器;本发明的晶片收容容器(10)设有:位于较晶片(31)的外周缘更外侧的外周部(12),以及从低于外周部(12)的最上面的位置起向晶片(31)的径向内侧延伸、且在低于外周部(12)的最上面的位置上载置晶片(31)的载置部(14);其中,载置部(14)设有第一倾斜面(27a、28a)和第二倾斜面(27b、28b);第一倾斜面(27a、28a)是向晶片(31)的径向内侧下降,同时,在载置有晶片(31)时可以仅与晶片(31)的外周缘接触的倾斜面;第二倾斜面(27b、28b)是位于该第一倾斜面(27a、28a)的里侧、且向晶片(31)的径向内侧上升,同时,在叠置有多个晶片收容容器(10)时可以仅与下方的晶片(31)的外周缘接触的倾斜面;在载置部(14)上,设有沿着圆周方向切出的多个缺口槽。

    晶片收容容器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101085653A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200710103206.7

    申请日:2007-05-10

    CPC classification number: H01L21/67346

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够不增加零部件件数、且不损坏晶片并且能够简便地收容晶片的晶片收容容器;本发明的晶片收容容器(10)设有:位于较晶片(31)的外周缘更外侧的外周部(12),以及从低于外周部(12)的最上面的位置起向晶片(31)的径向内侧延伸、且在低于外周部(12)的最上面的位置上载置晶片(31)的载置部(14);其中,载置部(14)设有第一倾斜面(27a、28a)和第二倾斜面(27b、28b);第一倾斜面(27a、28a)是向晶片(31)的径向内侧下降,同时,在载置有晶片(31)时可以仅与晶片(31)的外周缘接触的倾斜面;第二倾斜面(27b、28b)是位于该第一倾斜面(27a、28a)的里侧、且向晶片(31)的径向内侧上升,同时,在叠置有多个晶片收容容器(10)时可以仅与下方的晶片(31)的外周缘接触的倾斜面。

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