公开(公告)号：CN107130294B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710106146.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04

Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。

公开(公告)号：CN107130293B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710103267.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。

公开(公告)号：CN107130294A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710106146.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/1602 ,  C30B25/02

Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。

公开(公告)号：CN107130293A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710103267.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/04 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/1602 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。

公开(公告)号：CN115336006A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024306.9

申请日：2021-04-12

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 加藤宙光 ,  小仓政彦 ,  牧野俊晴 ,  山崎聡 ,  松本翼 ,  德田规夫 ,  猪熊孝夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明的课题在于提供一种不具有漂移层的适于高耐压的新的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于具有：第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型；源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部；源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置；栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层；所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置。