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公开(公告)号：CN1296210C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构，包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比，如此形成的压电膜厚度小，而且表现出很大的压电常数，从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1660579A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
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公开(公告)号：CN1338377A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN100402292C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9……(1)。
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公开(公告)号：CN1380187A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1181977C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构，包括：一个振动板；一个压电膜；该振动板包括由单晶材料、多晶体材料，掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料，或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层，并且包括将前述层夹在中间的氧化层，该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN100469577C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410038765.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种介质膜构成体、压电致动器以及油墨喷头，其中该介质膜构成体具有基板和在该基板上设置的介质膜，其特征在于，介质膜相对于该基板具有(001)面取向性，其中，该介质膜由下述式(1)表示，u为大于2的实数：u＝(Cc/Ca)×(Wa/Wc)……(1)。在上述式(1)中，Cc是面外X射线衍射测定中的介质膜的(001’)面的峰值的计数(在此，1’为Cc最大值时选定的自然数。)；Ca是面内X射线衍射测定中的介质膜的(h’00)面的峰值的计数(在此h’为Cc最大值时选定的自然数。)；Wc是面外波动曲线X射线衍射测定中的介质膜的(001’)面的峰值的半值宽度；Wa是面内波动曲线X射线衍射测定中的介质膜的(h’00)面的峰值的半值宽度。)
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公开(公告)号：CN100457458C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体元件及其制造方法。使用该介电体元件的压电元件、喷墨头。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN100374299C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410100272.5
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1646 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体薄膜元件、压电致动器、液体排出头及其制造方法。构成用于液体排出头的压电致动器中的结晶性介电体薄膜元件(10、20)的压电体薄膜(13、23)，在加热而引起的结晶化工序中产生晶格失配等产生的应力。为此，通过使具有吸收上述应力的双晶结构的中间层(12、22)夹在与基板(11、21)之间，抑制压电体薄膜(13、23)的膜剥离或压电特性的劣化。中间层(12)是具有由双晶结构的薄膜构成的中间第一层(12a)、和作为下电极的中间第二层(12b)的多层结构，由于基板(21)兼作下电极，所以中间层(22)是由双晶结构的薄膜构成的单层结构。
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公开(公告)号：CN1530231A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410038765.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/316
Abstract: 一种介质膜构成体，具有基板和在该基板上设置的介质膜，其特征在于，介质膜相对于该基板具有(00l)面取向性，其中，该介质膜由下述式(1)表示，u为大于2的实数：u＝(Cc/Ca)×(Wa/Wc)……(1)。在上述式(1)中，Cc是面外X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的计数(在此，1′为Cc最大值时选定的自然数。)；Ca是面内X射线衍射测定的介质膜的(h′00)面的峰值的计数(在此h′为Cc最大值时选定的自然数。)；Wc是面外波动曲线X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的半值宽度；Wa是面内波动曲线X射线衍谢测定的介质膜的(h′00)面的峰值的半值宽度。)
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