公开(公告)号：CN1056955A

公开(公告)日：1991-12-11

申请号：CN91103576.1

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 井上俊辅 ,  坂下幸彦 ,  中村佳夫 ,  菊池伸 ,  原浩

IPC: H01L29/86 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L27/10829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种含静电电容元件的半导体装置及其制造方法，该装置含有由半导体基体上形成的Al区域和在该Al区域表面上形成的Al氧化膜，及将该Al氧化膜夹在中间而与上述Al区域相对的电极构成的电容器；其方法包括两个工序，即通过利用烷基铝氢化物的气体和氢的CVD法，堆积Al、或以Al为主要成分的金属，形成构成上述电容器的电极一侧的工序，以及在上述电极一侧表面上形成氧化铝膜的工序。