公开(公告)号：CN1132962C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN99125440.6

申请日：1999-10-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野瞳 ,  金井正博 ,  小池淳 ,  须贝浩士

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32532

Abstract: 淀积膜形成系统具有：至少一个真空容器；向真空容器输送膜形成用原料气体的装置；使原料气体成为等离子体的放电电极；以及供电导体，将高频功率施加至放电电极，该系统包括：接地屏蔽，在真空容器内围绕供电导体设置；和多个电介质材料部件，它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电，并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。

公开(公告)号：CN1255554A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99125440.6

申请日：1999-10-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野瞳 ,  金井正博 ,  小池淳 ,  须贝浩士

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32532

Abstract: 淀积膜形成系统具有:至少一个真空容器;向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;使原料气体成为等离子体的放电电极;以及供电导体,将高频功率施加至放电电极,该系统包括:接地屏蔽,在真空容器内围绕供电导体设置;和多个电介质材料部件,它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电,并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。