公开(公告)号：CN105190991A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014273.X

申请日：2014-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小山泰史 ,  立石禄则

IPC: H01P3/12 ,  G02B6/00

CPC classification number: H01S5/2031 ,  G02B6/1226 ,  H01P3/121 ,  H01Q9/045 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/34 ,  H03B7/08 ,  H03B2200/0084

Abstract: 提供一种波导元件，包括：用于引导电磁波的波导；用于辐射或接收电磁波的共振天线，该共振天线被布置在波导的用于辐射或接收电磁波的部分处；以及用于将波导的阻抗与共振天线的阻抗匹配以将波导耦合到共振天线的阻抗匹配部。波导包括：第一导体层和第二导体层，各自具有电磁波的负的介电常数实部；以及布置在第一导体层和第二导体层之间的核心层。核心层具有电磁波的增益和用于电磁波的载波的非线性中的一个。

公开(公告)号：CN115527931A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210707666.5

申请日：2022-06-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 觸泽绫子 ,  立石禄则 ,  冨吉俊夫 ,  蜂巢高弘

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。所公开的制造半导体设备的方法包括将接合基板分割成多个半导体设备，接合基板包括设置有互连结构层和第一接合层的第一基板、以及设置有与第一接合层相对的第二接合层的第二基板。接合基板在平面图中包括功能元件区域和划线区域。该分割包括在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板。贯穿第一基板和第二基板中的一个、互连结构层、以及第一接合层和第二接合层的凹槽被形成。凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。

公开(公告)号：CN114270701A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059681.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小山泰史 ,  立石禄则

IPC: H03B7/08 ,  G01J1/02 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q21/00

Abstract: 其中第一导体层、介电层和第二导体层依次堆叠的元件具有连接到第二导体层以在太赫兹波频率处使多个天线彼此同步的耦合线，以及连接用于向半导体层供应偏置信号的电源与第二导体层的偏置线。其中，设置有耦合线的布线层和设置有偏置线的布线层是不同的层。

公开(公告)号：CN105190991B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201480014273.X

申请日：2014-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小山泰史 ,  立石禄则

IPC: H01P3/12 ,  G02B6/00

CPC classification number: H01S5/2031 ,  G02B6/1226 ,  H01P3/121 ,  H01Q9/045 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/34 ,  H03B7/08 ,  H03B2200/0084

Abstract: 提供种波导元件,包括:用于引导电磁波的波导;用于辐射或接收电磁波的共振天线,该共振天线被布置在波导的用于辐射或接收电磁波的部分处;以及用于将波导的阻抗与共振天线的阻抗匹配以将波导耦合到共振天线的阻抗匹配部。波导包括:第导体层和第二导体层,各自具有电磁波的负的介电常数实部;以及布置在第导体层和第二导体层之间的核心层。核心层具有电磁波的增益和用于电磁波的载波的非线性中的个。

公开(公告)号：CN101809748B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880108322.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  薮田久人 ,  立石禄则 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。

公开(公告)号：CN101809748A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108322.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  薮田久人 ,  立石禄则 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。