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公开(公告)号：CN103928480B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410020040.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取设备及其制造方法。当在各滤色器之间形成中空部时，为了实现具有较窄宽度的中空部的形成，在半导体基板的上表面上形成多个光接收部，在半导体基板之上形成与各光接收部对应的多个滤色器，在各滤色器上形成光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧表面上形成侧壁，以及通过至少使用该侧壁作为掩模执行蚀刻来在各滤色器之间形成中空部。
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公开(公告)号：CN113315956B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110220790.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 渡边杏平
Abstract: 提供用于控制照相机的白平衡的图像处理设备、摄像设备、图像处理方法和机器可读介质。图像处理设备从图像数据中检测白色区域，并且基于白色区域的数据，计算第一白平衡校正值。图像处理设备还利用机器学习从图像数据中检测具有预设的特定颜色的被摄体区域，并且基于被摄体的区域的颜色，计算第二白平衡校正值。图像处理设备基于第一白平衡校正值和第二白平衡校正值，计算应用于图像数据的白平衡校正值。
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公开(公告)号：CN105185801B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201510540844.X
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN105301677A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510300461.5
申请日：2015-06-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0012 , G02B3/005 , G02B3/0056 , G02B27/0927 , G02B27/10 , G03F1/50 , G03F7/0005
Abstract: 本发明涉及光掩模、光学元件阵列的制造方法、光学元件阵列。用于包含第一光学元件和第二光学元件的光学元件阵列的光掩模。光透射率分布包含要形成第一光学元件的第一区域、要形成第二光学元件的第二区域、以及第一区域与第二区域之间的第三区域，在第一区域的端部处具有第一光透射率。第二光透射率在另一端部处比第一光透射率高。端部处的第三光透射率与第二区域和第三区域之间的边界对应。第四光透射率在第二区域的另一端部处比第三光透射率高。在第三区域中，沿第一方向的光透射率分布比连接第二光透射率和第三光透射率的线段高。
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公开(公告)号：CN103140926B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180046198.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14607 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H04N5/3559 , H04N5/372 , H04N5/37452 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 在固态成像装置中，在像素构成要素中，光电转换单元、传送晶体管和电荷保持单元的至少一部分被设置在第一半导体基板上。被配置为处理传送到电荷保持单元的信号电荷或由放大单元放大的信号的像素附加电路被设置在第二半导体基板上。并且其中，在第一基板上设置第一遮光部件，所述第一遮光部件被配置为减少透过光电转换单元而入射到像素附加电路的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714212A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080058034.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/1465
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。
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公开(公告)号：CN102668081B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN200980163052.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02 , H04N5/374 , H04N5/3742
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN103928480A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410020040.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取设备及其制造方法。当在各滤色器之间形成中空部时，为了实现具有较窄宽度的中空部的形成，在半导体基板的上表面上形成多个光接收部，在半导体基板之上形成与各光接收部对应的多个滤色器，在各滤色器上形成光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧表面上形成侧壁，以及通过至少使用该侧壁作为掩模执行蚀刻来在各滤色器之间形成中空部。
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公开(公告)号：CN102668081A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980163052.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02 , H04N5/374 , H04N5/3742
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN102122115A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110000210.7
申请日：2011-01-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F1/00 , G02B3/00 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/0005 , B29D11/00298 , G03F1/50 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及光掩模数据的产生方法、光掩模的制作方法、具有微透镜阵列的固态图像传感器及微透镜阵列的制造方法。提供一种产生用于制作微透镜阵列的光掩模数据的方法，该光掩模在包含周边区域和主区域的各矩形区域中具有包含遮光部分和非遮光部分的微透镜图案，该周边区域具有矩形区域的四个边作为外边缘，该主区域具有作为周边区域的内边缘的边界，该周边区域由分别包含所述四个边中的一个作为其一部分的四个条带区域构成，并且，所述外边缘和所述内边缘之间的宽度不大于曝光用光的波长的1/2，该方法包括确定周边区域中的遮光部分和非遮光部分的布局，使得遮光部分的密度被设为落在0％～15％的范围内。
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