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公开(公告)号：CN101046464B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200710091733.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 池田贵司
IPC: G01N33/543 , G01N27/72
CPC classification number: G01N33/54326 , G01N27/745 , G01N33/53
Abstract: 本发明涉及传感器元件、磁性粒子的检测方法及目标物质的检测方法。传感器装置被配置为使用具有作为磁场传感器的功能并能够通过电流的施加在传感器表面上产生用于收集磁性粒子的磁场的传感器元件。结果，可提供可在传感器上有效收集用作标记的磁性粒子同时可减轻用于收集磁性粒子的磁场对传感器的影响的传感器装置。
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公开(公告)号：CN100490003C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN02120600.7
申请日：2002-03-19
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件，使用磁阻元件的存储元件、使用存储元件的MRAM、以及用于该MRAM的记录/再现方法，其中一磁阻元件包括第一、第二和第三磁层和非磁性层。第一磁层被垂直磁化到薄膜表面。第二磁层被垂直磁化到薄膜表面并具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力。非磁性层被插在第一和第二磁层间。第三磁层具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力并且逆平行地磁化到第二磁层。所述第一磁层、所述非磁性层、所述第二磁层以及所述第三磁层按该顺序形成。
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公开(公告)号：CN101688850B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880023510.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543 , G01R33/04
CPC classification number: G01R33/18 , G01R33/04 , G01R33/063 , G01R33/1269
Abstract: 一种磁检测元件，包括由软磁材料构成的芯体，用于检测施加到该芯体上的磁场的检测线圈，和用于对该芯体施加交变磁场的激励线圈，其中所述所述芯体的表面沿检测线圈的纵向被分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域对于检测目标物质的亲合力不同。
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公开(公告)号：CN1947016B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200580013462.6
申请日：2005-04-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N33/543 , G01N33/553
CPC classification number: G01N33/58 , B01L3/5027
Abstract: 本发明涉及这样一种方法，即，在该方法中，磁性粒子被用作标记粒子，通过向由于生化反应保留的磁性粒子施加高频磁场并产生热量，检测与磁性粒子的数量对应的物理量的变化，并且在样品溶液中包含的材料被检测。诸如抗原的目标材料可容易地被定量检测。
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公开(公告)号：CN101111763B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200680003442.5
申请日：2006-01-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543 , G01R33/09 , H01L43/08
CPC classification number: G01R33/12 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01R33/09 , G01R33/1269 , H01L27/22
Abstract: 本发明提供一种能够在广泛的数量范围上检测磁性粒子并能够抑制检测面积增加的磁性传感器。该磁性传感器包括：检测部分；与检测部分的端部电连接的选择装置；和用于从检测部分接收信号的感测放大器；其中，检测部分包含至少两个串联的磁阻膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1384503B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN02119828.4
申请日：2002-04-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/12465 , Y10T428/12986 , Y10T428/24942
Abstract: 一种磁阻膜，包括一非磁膜，磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置，该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器，磁元件，磁阻元件以及磁元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN101688850A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023510.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543 , G01R33/04
CPC classification number: G01R33/18 , G01R33/04 , G01R33/063 , G01R33/1269
Abstract: 一种磁检测元件，包括由软磁材料构成的芯体，用于检测施加到该芯体上的磁场的检测线圈，和用于对该芯体施加交变磁场的激励线圈，其中所述所述芯体的表面沿检测线圈的纵向被分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域对于检测目标物质的亲合力不同。
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公开(公告)号：CN101046464A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091733.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 池田贵司
CPC classification number: G01N33/54326 , G01N27/745 , G01N33/53
Abstract: 本发明涉及传感器元件、磁性粒子的检测方法及目标物质的检测方法。传感器装置被配置为使用具有作为磁场传感器的功能并能够通过电流的施加在传感器表面上产生用于收集磁性粒子的磁场的传感器元件。结果，可提供可在传感器上有效收集用作标记的磁性粒子同时可减轻用于收集磁性粒子的磁场对传感器的影响的传感器装置。
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公开(公告)号：CN1389870A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02120600.7
申请日：2002-03-19
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件,使用磁阻元件、使用磁阻元件的存储器元件以及用于该存储器元件的记录/再现方法,其中一磁阻元件包括第一、第二和第三磁层和非磁性层。第一磁层被垂直磁化到薄膜表面。第二磁层被垂直磁化到薄膜表面并具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力。非磁性层被插在第一和第二磁层间。第三磁层具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力并且逆平行地磁化到第二磁层。同时还公开了一种存储元件和记录/再现方法。
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