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公开(公告)号：CN101359567B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810129452.4
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y30/00 , C01G23/047 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1295 , C23C30/00 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489 , Y10T428/26
Abstract: 一种在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814331A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010002093.3
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y30/00 , C01G23/047 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1295 , C23C30/00 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489 , Y10T428/26
Abstract: 本发明涉及一种导电膜、电子发射器件和图像显示设备。在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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公开(公告)号：CN101359567A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810129452.4
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y30/00 , C01G23/047 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1295 , C23C30/00 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489 , Y10T428/26
Abstract: 一种在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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公开(公告)号：CN101814331B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010002093.3
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y30/00 , C01G23/047 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1295 , C23C30/00 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489 , Y10T428/26
Abstract: 本发明涉及一种导电膜、电子发射器件和图像显示设备。在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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公开(公告)号：CN100426465C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510093982.4
申请日：2005-09-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , G03F7/0047 , G03F7/405 , H01J2201/3165 , H05K3/105 , H05K2203/1105 , H05K2203/121
Abstract: 提供一种膜图形的制造方法及其应用。在该膜图形的制造方法中，具有在基板表面上形成树脂膜的工序；使上述树脂膜包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序；在上述树脂膜上照射紫外线的工序；以及将上述树脂膜加热到该树脂的分解温度以上的温度，形成导电性膜或半导电性膜的工序。由此，难于产生树脂的分解残渣而使制造的膜图形的精度及质量得到提高。
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公开(公告)号：CN1763919A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510093982.4
申请日：2005-09-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , G03F7/0047 , G03F7/405 , H01J2201/3165 , H05K3/105 , H05K2203/1105 , H05K2203/121
Abstract: 提供一种膜图形的制造方法及其应用。在该膜图形的制造方法中，具有在基板表面上形成树脂膜的工序；使上述树脂膜包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序；在上述树脂膜上照射紫外线的工序；以及将上述树脂膜加热到该树脂的分解温度以上的温度，形成导电性膜或半导电性膜的工序。由此，难于产生树脂的分解残渣而使制造的膜图形的精度及质量得到提高。
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