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公开(公告)号：CN101746143A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910259421.5
申请日：2009-12-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1634 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , B41J2002/14467 , Y10T29/494
Abstract: 本发明涉及液体排出头和液体排出头用基板的制造方法。液体排出头包括Si基板和液体供给口，所述Si基板设置有产生用于排出液体的能量的元件，设置所述液体供给口以从第一表面至背面穿过所述Si基板，从而向所述元件供给液体。所述基板的制造方法包括以下步骤：在面取向为{100}的Si基板背面上形成多个凹部，所述凹部面向所述第一表面并沿所述Si基板的 方向成行排列；和使用Si基板{100}面的蚀刻速率比Si基板{110}面的蚀刻速率慢的蚀刻液，经由凹部，通过在Si基板上进行晶轴各向异性蚀刻而形成多个液体供给口。
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公开(公告)号：CN103358702A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310123781.9
申请日：2013-04-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/14 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/13
Abstract: 本发明涉及液体排出头及其制造方法。本发明的液体排出头的制造方法包括以下步骤：在基板的第一面上，在对应于形成独立供给口的区域的部分上形成蚀刻停止层；从第二面侧对所述基板进行干法蚀刻处理，直到被蚀刻的部分到达所述蚀刻停止层；并且在进行所述干法蚀刻处理之后，通过各向同性蚀刻去除所述蚀刻停止层以形成独立供给口，其中所述各向同性蚀刻是以在所述蚀刻停止层的侧面周围形成对所述各向同性蚀刻具有耐蚀刻性的侧部蚀刻阻止部的状态进行。
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公开(公告)号：CN103213398A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310024376.1
申请日：2013-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/14 , B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2002/14467
Abstract: 液体喷出头及其制造方法。一种液体喷出头的制造方法，包括下述步骤：（1）在基板的第二表面形成凹部以形成共用供给口，（2）形成蚀刻掩模，蚀刻掩模规定独立供给口的在共用供给口的底面的开口位置，以及（3）在采用蚀刻掩模作为掩模的状态下使用等离子体进行离子蚀刻，由此形成独立供给口。蚀刻掩模中形成的开口图案使得从喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在基板的第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
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公开(公告)号：CN113320295B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110210747.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 平本笃司
Abstract: 本申请涉及液体喷射设备和液体补给容器。一种液体喷射设备，包括：液体喷射头，配置成喷射液体；储液容器，包括配置成储存要被供应到液体喷射头的液体的储存部、配置成将液体从液体补给容器供应到储存部的开口、和配置成能处于覆盖开口的第一状态和露出开口的第二状态的盖构件；以及管制装置，用于管制盖构件从第一状态转变为第二状态。当液体补给容器的配置成防止用液体误填充储存部的第一部分配合在液体喷射设备的第二部分中时，解除管制装置实施的管制。
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公开(公告)号：CN113320295A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110210747.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 平本笃司
Abstract: 本申请涉及液体喷射设备和液体补给容器。一种液体喷射设备，包括：液体喷射头，配置成喷射液体；储液容器，包括配置成储存要被供应到液体喷射头的液体的储存部、配置成将液体从液体补给容器供应到储存部的开口、和配置成能处于覆盖开口的第一状态和露出开口的第二状态的盖构件；以及管制装置，用于管制盖构件从第一状态转变为第二状态。当液体补给容器的配置成防止用液体误填充储存部的第一部分配合在液体喷射设备的第二部分中时，解除管制装置实施的管制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103213398B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310024376.1
申请日：2013-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/14 , B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2002/14467
Abstract: 液体喷出头及其制造方法。一种液体喷出头的制造方法，包括下述步骤：（1）在基板的第二表面形成凹部以形成共用供给口，（2）形成蚀刻掩模，蚀刻掩模规定独立供给口的在共用供给口的底面的开口位置，以及（3）在采用蚀刻掩模作为掩模的状态下使用等离子体进行离子蚀刻，由此形成独立供给口。蚀刻掩模中形成的开口图案使得从喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在基板的第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
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公开(公告)号：CN102069296B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201010531431.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K26/18 , B23K26/362 , B23K26/40 , B23K26/60
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/60 , B23K2103/50 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种能够提高加工形状的精度和加工形状的自由度的激光加工方法。当在作为待加工对象的基板(W)中形成凹部时，用作为第一激光的改性激光(L1)的会聚点(LS1)扫描基板(W)的内部，以在与凹部的底部对应的位置中形成改性层(Wr)，所述改性层(Wr)成为激光加工区域(R1)的边界(改性层形成步骤)。然后，用作为第二激光的会聚加工激光照射基板(W)的表面(Wa)以去除和加工由改性层(Wr)限定的激光加工区域(R1)，以由此形成凹部(去除/加工步骤)。
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公开(公告)号：CN103358702B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310123781.9
申请日：2013-04-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/14 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/13
Abstract: 本发明涉及液体排出头及其制造方法。本发明的液体排出头的制造方法包括以下步骤：在基板的第一面上，在对应于形成独立供给口的区域的部分上形成蚀刻停止层；从第二面侧对所述基板进行干法蚀刻处理，直到被蚀刻的部分到达所述蚀刻停止层；并且在进行所述干法蚀刻处理之后，通过各向同性蚀刻去除所述蚀刻停止层以形成独立供给口，其中所述各向同性蚀刻是以在所述蚀刻停止层的侧面周围形成对所述各向同性蚀刻具有耐蚀刻性的侧部蚀刻阻止部的状态进行。
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公开(公告)号：CN101746143B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910259421.5
申请日：2009-12-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1634 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , B41J2002/14467 , Y10T29/494
Abstract: 本发明涉及液体排出头和液体排出头用基板的制造方法。液体排出头包括Si基板和液体供给口，所述Si基板设置有产生用于排出液体的能量的元件，设置所述液体供给口以从第一表面至背面穿过所述Si基板，从而向所述元件供给液体。所述基板的制造方法包括以下步骤：在面取向为{100}的Si基板背面上形成多个凹部，所述凹部面向所述第一表面并沿所述Si基板的 方向成行排列；和使用Si基板{100}面的蚀刻速率比Si基板{110}面的蚀刻速率慢的蚀刻液，经由凹部，通过在Si基板上进行晶轴各向异性蚀刻而形成多个液体供给口。
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公开(公告)号：CN102069296A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010531431.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/60 , B23K2103/50 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种能够提高加工形状的精度和加工形状的自由度的激光加工方法。当在作为待加工对象的基板(W)中形成凹部时，用作为第一激光的改性激光(L1)的会聚点(LS1)扫描基板(W)的内部，以在与凹部的底部对应的位置中形成改性层(Wr)，所述改性层(Wr)成为激光加工区域(R1)的边界(改性层形成步骤)。然后，用作为第二激光的会聚加工激光照射基板(W)的表面(Wa)以去除和加工由改性层(Wr)限定的激光加工区域(R1)，以由此形成凹部(去除/加工步骤)。
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