在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物

    公开(公告)号:CN109073968B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201780022031.9

    申请日:2017-03-17

    Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。

    在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理

    公开(公告)号:CN111708260B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202010752918.7

    申请日:2016-09-08

    Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。

    在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物

    公开(公告)号:CN109073968A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780022031.9

    申请日:2017-03-17

    Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。

    在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理

    公开(公告)号:CN106842835B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201610811661.1

    申请日:2016-09-08

    Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。

    在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理

    公开(公告)号:CN111708260A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010752918.7

    申请日:2016-09-08

    Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。

    在纳米压印光刻中的基材预处理和蚀刻均匀性

    公开(公告)号:CN108026330A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680053026.X

    申请日:2016-09-06

    Abstract: 一种纳米压印光刻法,其包括使由预处理组合物和压印抗蚀剂形成的复合聚合性涂层与限定凹部的纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以产生限定对应于纳米压印光刻模板的凹部的蚀刻前多个突起的复合聚合物层。将纳米压印光刻模板与复合聚合物层分离。蚀刻前多个突起中的至少一个对应于压印抗蚀剂的两个离散部分之间的边界,并且该蚀刻前多个突起的蚀刻前高度的变化为蚀刻前平均高度的±10%。使蚀刻前多个突起蚀刻以产生蚀刻后高度的变化为蚀刻后平均高度的±10%的蚀刻后多个突起,并且蚀刻前平均高度超过蚀刻后平均高度。

    在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理

    公开(公告)号:CN106842835A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201610811661.1

    申请日:2016-09-08

    Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。

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