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公开(公告)号:CN109075031A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780022065.8
申请日:2017-03-23
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 千叶启子 , 伊藤俊树 , 布赖恩·蒂莫西·斯塔霍维亚克 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 刘卫军
IPC: H01L21/027 , B29C59/02
Abstract: 包括含有聚合性化合物(a1)的固化性组合物(A1)的层形成于基板的表面上,包括含有聚合性化合物(a2)的固化性组合物(A2)的液滴以离散的方式滴落至包括固化性组合物(A1)的层上,将由固化性组合物(A1)和固化性组合物(A2)部分地混合形成的混合层夹持在模具与基板之间,将混合层通过从模具侧用光照射混合层来固化,并且使模具与固化后的混合层脱离,由此在基板上形成固化材料的图案。通过固化性组合物(A1)的除了溶剂之外的组合物的25℃下的粘度设定为40mPa·s以上且小于500mPa·s且通过固化性组合物(A2)的除了溶剂之外的组合物的25℃下的粘度设定为1mPa·s以上且小于40mPa·s,在基板上在多轮区域中以均匀的精度借助上述方法形成了固化材料的图案。
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公开(公告)号:CN109073968B
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN201780022031.9
申请日:2017-03-17
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 叶正茂 , 伊藤俊树
Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。
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公开(公告)号:CN108885394A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780021958.0
申请日:2017-03-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 刘卫军 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 詹姆斯·P·德扬 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫
CPC classification number: H01L21/02304 , G03F7/0002 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/0273
Abstract: 通过使用包括氟化组分的压印抗蚀剂和用预处理组合物处理过的基材以促进压印抗蚀剂在基材上的展开来提高纳米压印光刻法的处理量。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间的界面能1mN/m,并且压印抗蚀剂在纳米压印光刻模板上的接触角小于15°。
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公开(公告)号:CN111708260B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202010752918.7
申请日:2016-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军
Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。
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公开(公告)号:CN108885394B
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN201780021958.0
申请日:2017-03-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 刘卫军 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 詹姆斯·P·德扬 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫
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公开(公告)号:CN109073968A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780022031.9
申请日:2017-03-17
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 叶正茂 , 伊藤俊树
Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。
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公开(公告)号:CN106842835B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201610811661.1
申请日:2016-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军
Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。
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公开(公告)号:CN111708260A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010752918.7
申请日:2016-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军
Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。
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公开(公告)号:CN108026330A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680053026.X
申请日:2016-09-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军 , 万芬 , 加里·F·道尔 , 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫
IPC: C08L9/00
Abstract: 一种纳米压印光刻法,其包括使由预处理组合物和压印抗蚀剂形成的复合聚合性涂层与限定凹部的纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以产生限定对应于纳米压印光刻模板的凹部的蚀刻前多个突起的复合聚合物层。将纳米压印光刻模板与复合聚合物层分离。蚀刻前多个突起中的至少一个对应于压印抗蚀剂的两个离散部分之间的边界,并且该蚀刻前多个突起的蚀刻前高度的变化为蚀刻前平均高度的±10%。使蚀刻前多个突起蚀刻以产生蚀刻后高度的变化为蚀刻后平均高度的±10%的蚀刻后多个突起,并且蚀刻前平均高度超过蚀刻后平均高度。
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公开(公告)号:CN106842835A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201610811661.1
申请日:2016-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫 , 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克 , 刘卫军
Abstract: 本发明涉及在纳米压印光刻中减少填充时间的基材预处理。一种纳米压印光刻方法,其包括将预处理组合物配置在基材上从而形成预处理涂层。预处理组合物包括聚合性组分。离散的压印抗蚀剂部分配置在预处理涂层上,其中压印抗蚀剂的各离散部分覆盖基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分超出其目标区域展开,复合聚合性涂层形成于基材上。复合聚合性涂层包括预处理组合物和压印抗蚀剂的混合物。复合聚合性涂层与模板接触并且聚合,从而得到在基材上的复合聚合物层。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间或压印抗蚀剂的至少一个组分与空气之间的界面能。
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