在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物

    公开(公告)号:CN109073968A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780022031.9

    申请日:2017-03-17

    Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。

    在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物

    公开(公告)号:CN109073968B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201780022031.9

    申请日:2017-03-17

    Abstract: 一种从压印的纳米压印光刻基材除去未固化的预处理组合物的纳米压印光刻方法。该方法包括将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以形成预处理涂层,和将压印抗蚀剂的离散部分配置在预处理涂层上,压印抗蚀剂的各离散部分覆盖纳米压印光刻基材的目标区域。随着压印抗蚀剂的各离散部分铺展超出其目标区域,在纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层,并且使复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触。使复合聚合性涂层聚合以在纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层和预处理涂层的未固化部分,并且从纳米压印光刻基材除去预处理涂层的未固化部分。

    压印装置和压印局部域的方法

    公开(公告)号:CN106864058B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201611125066.9

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 本申请涉及一种压印装置,其包括:基底保持件,所述基底保持件具有吸附区域和凹形支撑段;以及模板保持件,其中,吸附区域面积大于模板区域面积。本申请还涉及一种压印装置,其包括:气体区段;以及气体控制器,所述气体控制器构造成调节气体区段内的压力,以得到与压印装置一起使用的工件的局部域的凸形曲率。本申请还涉及一种方法,其包括:在压印装置内设置工件,其中,工件包括基底和可成形材料;以及使模板在与局部域的外周间隔开的位置处与可成形材料初步接触。在特定的实施例中,所述方法还包括调整基底以形成使模板与可成形材料接触的凸形形状。

    压印装置和压印局部域的方法

    公开(公告)号:CN106864058A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201611125066.9

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 本申请涉及一种压印装置,其包括:基底保持件,所述基底保持件具有吸附区域和凹形支撑段;以及模板保持件,其中,吸附区域面积大于模板区域面积。本申请还涉及一种压印装置,其包括:气体区段;以及气体控制器,所述气体控制器构造成调节气体区段内的压力,以得到与压印装置一起使用的工件的局部域的凸形曲率。本申请还涉及一种方法,其包括:在压印装置内设置工件,其中,工件包括基底和可成形材料;以及使模板在与局部域的外周间隔开的位置处与可成形材料初步接触。在特定的实施例中,所述方法还包括调整基底以形成使模板与可成形材料接触的凸形形状。

Patent Agency Ranking