公开(公告)号：CN104798208A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060639.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 佐治亚科技研究公司

Inventor： B·蔻拉 ,  A·夏尔 ,  V·辛格

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0587 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L45/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0579 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549

Abstract: 本文描述了含有碳纳米结构-氧化物-金属二极管，诸如碳纳米管(CNT)-氧化物-金属二极管的阵列，以及其制造和使用方法。在一些实施方案中，所述阵列含有垂直定向的碳纳米结构，诸如用介电层的保形涂层(如金属氧化物)涂布的多壁碳纳米管(MWCNT)。碳纳米结构的尖端用诸如钙或铝的低逸出功金属涂布以在尖端处形成纳米结构-氧化物-金属界面。所述阵列由于其固有的低电容可以在高达约40皮赫的频率下用作整流天线。本文所描述的阵列在低至0.3V的低开启电压和高达约7800mA/cm2的大电流密度以及至少约10、15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的整流比下产生高度不对称性和非线性。

公开(公告)号：CN104798208B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201380060639.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 佐治亚科技研究公司

Inventor： B·蔻拉 ,  A·夏尔 ,  V·辛格

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0587 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L45/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0579 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549

Abstract: 本文描述了含有碳纳米结构‑氧化物‑金属二极管，诸如碳纳米管(CNT)‑氧化物‑金属二极管的阵列，以及其制造和使用方法。在一些实施方案中，所述阵列含有垂直定向的碳纳米结构，诸如用介电层的保形涂层(如金属氧化物)涂布的多壁碳纳米管(MWCNT)。碳纳米结构的尖端用诸如钙或铝的低逸出功金属涂布以在尖端处形成纳米结构‑氧化物‑金属界面。所述阵列由于其固有的低电容可以在高达约40皮赫的频率下用作整流天线。本文所描述的阵列在低至0.3V的低开启电压和高达约7800mA/cm2的大电流密度以及至少约10、15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的整流比下产生高度不对称性和非线性。