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公开(公告)号：CN103221585A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056431.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的晶体膜，其特征在于，以化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12（其中，0＜x＜3，0＜y＜3）表示，并且，La、Gd、Bi的组成比在La-Gd-Bi三元系组成图上具有相当于以组成点A、组成点B、组成点C、组成点D作为顶点的四角形内部的数值范围。其中，组成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、组成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、组成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、组成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。
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公开(公告)号：CN103228826A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056450.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。
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公开(公告)号：CN103228826B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180056450.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。
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公开(公告)号：CN103221585B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180056431.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的晶体膜，其特征在于，以化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12（其中，0＜x＜3，0＜y＜3）表示，并且，La、Gd、Bi的组成比在La-Gd-Bi三元系组成图上具有相当于以组成点A、组成点B、组成点C、组成点D作为顶点的四角形内部的数值范围。其中，组成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、组成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、组成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、组成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。
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