公开(公告)号：CN106537562A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039195.3

申请日：2015-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 长尾兼次 ,  中村健一 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B2203/007 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种能够降低环境负荷的清洗化合物半导体的方法。本发明的清洗化合物半导体的方法具有：使用包含纯水和少于65重量％的硫酸且具有pH值2以下的氢离子浓度和0.6伏特以上的氧化还原电位的溶液17，在摄氏70度以上的温度下对具有镓作为构成元素的化合物半导体实施用于清洗的处理4的工序。