公开(公告)号：CN103348453A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007003.7

申请日：2012-04-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原新也 ,  藤永利裕 ,  杉本胜俊

IPC: H01L21/304 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  C30B29/40

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0046 ,  C30B11/00 ,  C30B29/42

Abstract: 提供一种可低成本地由使用水平舟法形成的晶锭获得足够薄的化合物半导体基板的化合物半导体单晶基板的制造方法及该化合物半导体单晶基板。化合物半导体单晶基板的制造方法具有以下步骤：准备由化合物半导体构成的单晶晶锭(1)的步骤，该化合物半导体使用水平舟法在(111)方向上形成；由夹具固定该晶锭(1)的步骤；以及对由夹具固定的晶锭(1)，使用线锯以(100)±7°或(511)±7°的面取向，在将线锯的锯线(7)在(01-1)方向往复进给的同时使由夹具固定的晶锭(1)在和锯线(7)的往复方向正交的方向上上升，使用锯线(7)进行切片的步骤。