公开(公告)号：CN102017159B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980113893.8

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  津守将斗

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8611

Abstract: 提供一种具有缺陷密度减少的有源层的碳化硅半导体器件及其制造方法，该有源层形成在由碳化硅制成的衬底上。半导体器件(1)包括：衬底(2)，其由碳化硅制成且相对于面取向{0001}具有不小于50°且不大于65°的偏离角；缓冲层(21)；以及外延层(3)，p型层(4)和n+区(5、6)中的每个用作有源层。缓冲层(21)由碳化硅制成且形成在衬底(2)上。有源层由碳化硅制成且形成在缓冲层(21)上。微管密度在有源层中比在衬底(2)中低。在有源层中的柏格矢量的方向对应于[0001]的位错的密度比在衬底(2)中的高。在形成缓冲层的步骤(S20)中的膜形成条件是：原料气体的成分和流速被确定成使得在用于形成缓冲层(21)的原料气体中的表示碳原子与硅原子比率的C/Si比率的值小于形成有源层(3-6)的步骤(S30)中的C/Si比率的值。

公开(公告)号：CN102224594A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN102224594B9

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN102224594B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN102017159A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980113893.8

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  津守将斗

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8611

Abstract: 提供一种具有缺陷密度减少的有源层的碳化硅半导体器件及其制造方法，该有源层形成在由碳化硅制成的衬底上。半导体器件(1)包括：衬底(2)，其由碳化硅制成且相对于面取向{0001}具有不小于50°且不大于65°的偏离角；缓冲层(21)；以及外延层(3)，p型层(4)和n+区(5、6)中的每个用作有源层。缓冲层(21)由碳化硅制成且形成在衬底(2)上。有源层由碳化硅制成且形成在缓冲层(21)上。微管密度在有源层中比在衬底(2)中低。在有源层中的柏格矢量的方向对应于[0001]的位错的密度比在衬底(2)中的高。在形成缓冲层的步骤(S20)中的膜形成条件是：原料气体的成分和流速被确定成使得在用于形成缓冲层(21)的原料气体中的表示碳原子与硅原子比率的C/Si比率的值小于形成有源层(3-6)的步骤(S30)中的C/Si比率的值。