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公开(公告)号：CN104603915A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380044909.0
申请日：2013-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L23/53223 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。
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公开(公告)号：CN104603915B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380044909.0
申请日：2013-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L23/53223 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。
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公开(公告)号：CN104170093B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380015255.9
申请日：2013-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/12 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/046 , H01L21/049 , H01L21/28026 , H01L21/76844 , H01L21/76855 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 一种MOSFET(1)，设置有：衬底(10)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；形成在栅极绝缘膜(20)上以围绕栅电极(30)的层间绝缘膜(40)；包含Ti和N且不包含Al的缓冲膜(51)；以及包含Ti、Al和Si的源电极(52)。MOSFET(1)具有其中形成的接触孔(80)，所述接触孔贯穿层间绝缘膜(40)，暴露衬底(10)的主表面(10A)，并且与栅电极(30)隔开。缓冲膜(51)形成为与接触孔(80)的侧壁表面(80A)接触。在衬底(10)的主表面(10A)上，源电极(52)被形成为使得所述源电极与该主表面接触，所述主表面通过形成缓冲膜(51)和接触孔(80)而被暴露。
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公开(公告)号：CN104170093A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380015255.9
申请日：2013-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/12 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/046 , H01L21/049 , H01L21/28026 , H01L21/76844 , H01L21/76855 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 一种MOSFET(1)，设置有：衬底(10)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；形成在栅极绝缘膜(20)上以围绕栅电极(30)的层间绝缘膜(40)；包含Ti和N且不包含Al的缓冲膜(51)；以及包含Ti、Al和Si的源电极(52)。MOSFET(1)具有其中形成的接触孔(80)，所述接触孔贯穿层间绝缘膜(40)，暴露衬底(10)的主表面(10A)，并且与栅电极(30)隔开。缓冲膜(51)形成为与接触孔(80)的侧壁表面(80A)接触。在衬底(10)的主表面(10A)上，源电极(52)被形成为使得所述源电极与该主表面接触，所述主表面通过形成缓冲膜(51)和接触孔(80)而被暴露。
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