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发明公开
磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119768572A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061451.3

申请日：2023-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木户优花 , 坂本良二 , 柳泽拓弥 , 善积祐介 , 桥尾克司

IPC: C30B29/40

Abstract: 本发明的磷化铟单晶衬底具有圆形的主表面，上述主表面被格子间距为1mm的正方格子假想地划分。上述正方格子由沿着第一方向和与上述第一方向正交的第二方向存在的多个格子点构成。由在各上述格子点测定的位错密度构成的集合分别具有作为上述集合的平均值的第一整面平均值和作为上述集合的标准偏差的第一整面标准偏差，并且各上述位错密度被分类为第一级别、第二级别和第三级别中的任一个。测定出被分类为上述第二级别的位错密度的格子点存在于夹在第一正方区域的外轮廓线和第二正方区域的外轮廓线之间的区域内，并且由被分类为第二级别的位错密度构成的子集的平均值即第二平均值是由被分类为第一级别的位错密度构成的子集的平均值即第一平均值的4.0倍以上且10.0倍以下。

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