公开(公告)号：CN100570909C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200580010018.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 成塚重弥 ,  丸山隆浩 ,  森分达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n-型AlInGaP层和p-型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。

公开(公告)号：CN1938871A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010018.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 成塚重弥 ,  丸山隆浩 ,  森分达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n－型AlInGaP层和p－型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。