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公开(公告)号：CN1198333C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02141292.8
申请日：2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/15 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/1184 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底(11)上形成第一金属层图形(14)，在第一金属层上形成至少0.5μm厚的第二金属层图形(16)，其中该第一金属层包含一由Ti/Mo/Ni，Ti/Pt/Ni，Ti/V/Ni，或者Ti/Pd/Ni组成的多层结构，该第二金属层包括Au，Ni/Au，Ag，Pd/Au，Pt/Au，或者V/Au，其中第一金属层通过刻蚀宽度减小。此外，第三金属层(13)可以与第一金属层在同一平面上形成图形。第二金属层(16)的最外层是金属，比如不会被刻蚀的金。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图，使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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公开(公告)号：CN1022654C
公开(公告)日：1993-11-03
申请号：CN90102462.7
申请日：1990-03-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/225
Abstract: 一种隧道型约瑟夫森器件包括由复合氧化物超导材料形成的一对超导体层和在这对超导体层之间形成的绝缘层。该绝缘层是由超导体层的复合氧化物超导材料中组成元素相同的复合氧化物形成的，但具有不呈现超导特性的原子比。此外，该超导体层和该绝缘层是在供氧的同时连续形成的。
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公开(公告)号：CN1396654A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02141292.8
申请日：2002-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/15 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/098 , H05K2203/1184 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板包括在陶瓷基底11上形成第一金属层图形14，在第一金属层上形成至少0.5μm厚的第二金属层图形16，其中第一金属层通过蚀刻宽度减小。此外，第三金属层13可以与第一金属层在同一平面上形成图形。第二金属层16的最外层是金属，比如不会被蚀刻的金。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图，使在其上面安装至少一个高输出半导体元件、实现小型高性能高输出模块成为可能。
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公开(公告)号：CN1047418A
公开(公告)日：1990-11-28
申请号：CN90102462.7
申请日：1990-03-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/225
Abstract: 一种隧道型约瑟夫森器件包括由复合氧化物超导材料形成的一对超导体层和在这对超导体层之间形成的绝缘层。该绝缘层是由超导体层的复合氧化物超导材料中组成元素相同的复合氧化物形成的，但具有不呈现超导特性的原子比。此外，该超导体层和该绝缘层是在供氧的同时连续形成的。
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