Bi2223氧化物超导体及其制造方法

    公开(公告)号:CN102482112A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039818.4

    申请日:2010-08-05

    Abstract: 本发明提供了一种Bi2223氧化物超导体,其由Bi、Pb、Sr、Ln、Ca、Cu和O构成,其中所述Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种;且所述Sr与所述Ln的组成比为以下组成比:Sr∶Ln=(1-x)∶x(其中0.002≤x≤0.015)。该Bi2223氧化物导体在低温磁场中具有高临界电流密度并且即使在77K的自磁场中也能够保持高临界电流密度。另外,本发明还提供一种制造Bi2223氧化物超导体的方法,所述方法包括:使含有构成所述Bi2223氧化物超导体的元素的材料在溶液中离子化的步骤;和通过将所述溶液喷射到高温气氛中来除去溶剂并引起热分解反应,从而制造含有构成所述氧化物超导体的原子的粉末的步骤。

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