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公开(公告)号：CN110234801A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009481.9
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种作为III-V族化合物半导体基板的磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子或者以20个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.079μm以上的粒子。一种作为带有外延层的III-V族化合物半导体基板的带有外延层的InP基板，其包含上述InP基板和设置在所述InP基板的主表面上的外延层，并且在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在主表面上以10个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.24μm以上的LPD或者以30个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.136μm以上的LPD。由此，提供一种III-V族化合物半导体基板和一种带有外延层的III-V族化合物半导体基板，所述III-V族化合物半导体基板和所述带有外延层的III-V族化合物半导体基板能够减少生长在主表面上的外延层的缺陷。
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公开(公告)号：CN112838122A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011621874.0
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及III‑V族化合物半导体基板和带有外延层的III‑V族化合物半导体基板。所述III‑V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子。所述带有外延层的III‑V族化合物半导体基板包含上述III‑V族化合物半导体基板和设置在所述III‑V族化合物半导体基板的主表面上的外延层，并且在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在所述主表面上以10个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.24μm以上的光点缺陷。所述III‑V族化合物半导体基板能够减少生长在其主表面上的外延层的缺陷。
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公开(公告)号：CN110234801B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201880009481.9
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种作为III‑V族化合物半导体基板的磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子或者以20个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.079μm以上的粒子。一种作为带有外延层的III‑V族化合物半导体基板的带有外延层的InP基板，其包含上述InP基板和设置在所述InP基板的主表面上的外延层，并且在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在主表面上以10个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.24μm以上的LPD或者以30个缺陷/cm2以下的量包含圆当量直径为0.136μm以上的LPD。由此，提供一种III‑V族化合物半导体基板和一种带有外延层的III‑V族化合物半导体基板，所述III‑V族化合物半导体基板和所述带有外延层的III‑V族化合物半导体基板能够减少生长在主表面上的外延层的缺陷。
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