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公开(公告)号:CN1789300A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200510126905.4
申请日:2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08F232/08 , C08F8/08 , G03F7/00
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物,多环聚合物的生产方法,以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非-卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外,本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后-处理以便获得下列之一或更多的方法:(1)降低聚合物组合物的光密度;和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外,本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系,所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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公开(公告)号:CN1561355A
公开(公告)日:2005-01-05
申请号:CN02819081.5
申请日:2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G61/00 , C08F232/08 , G03F7/004
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物,多环聚合物的生产方法,以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非-卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外,本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后-处理以便获得下列之一或更多的方法:(1)降低聚合物组合物的光密度;和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外,本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系,所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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公开(公告)号:CN100413898C
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200510126905.4
申请日:2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08F232/08 , C08F8/08 , G03F7/00
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物,多环聚合物的生产方法,以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非-卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外,本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后-处理以便获得下列之一或更多的方法:(1)降低聚合物组合物的光密度;和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外,本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系,所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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公开(公告)号:CN1315906C
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN99804515.2
申请日:1999-02-19
CPC classification number: G03F7/039 , C08G61/02 , C08G61/08 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及环状聚合物和其在照相平版印刷应用中的用途。这些环状聚合物含有酸不稳定官能侧基和含保护的羟基部分的官能基团。这些聚合物通过使羟基侧基部分脱保护并使该含脱保护羟基的部分与共反应剂反应而进行后改性。发现这些后-官能化的聚合物可用于化学放大光刻胶组合物中。
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公开(公告)号:CN1223615C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN99803249.2
申请日:1999-02-19
IPC: C08F32/08 , C08F232/08 , C08G61/08 , G03F7/039 , G03F7/004
CPC classification number: C08F232/08 , C08G61/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/039 , Y10S430/115
Abstract: 公开了含有芳香侧基单元的多环类聚合物。聚合物对远UV波长显示出光学透明性,从而能在高分辨率照相平版印刷行业中应用。这些聚合物特别适用于化学放大的正性和负性光刻胶。
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公开(公告)号:CN1253485C
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN02819081.5
申请日:2002-12-12
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G61/00 , C08F232/08 , G03F7/004
CPC classification number: C08G61/06 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明涉及多环聚合物,多环聚合物的生产方法,以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中,本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非-卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外,本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后-处理以便获得下列之一或更多的方法:(1)降低聚合物组合物的光密度;和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外,本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系,所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。
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