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公开(公告)号：CN102239549B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN102239549A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103474354B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN103474354A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN102484077A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038652.4
申请日：2010-09-06
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/26553 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66318 , H01L29/66522
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。
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公开(公告)号：CN103548126A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024373.1
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/20 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28264 , H01L29/517 , H01L29/66522
Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。
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公开(公告)号：CN103548126B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280024373.1
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/20 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28264 , H01L29/517 , H01L29/66522
Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。
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