公开(公告)号：CN103548133B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201280025380.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山田永 ,  秦雅彦 ,  高木信一 ,  前田辰郎 ,  卜部友二 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。

公开(公告)号：CN103548133A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280025380.3

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山田永 ,  秦雅彦 ,  高木信一 ,  前田辰郎 ,  卜部友二 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L21/76251

Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。

公开(公告)号：CN102498542B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而在常温下仅使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN102498542A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN103548126A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024373.1

申请日：2012-06-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  市川磨 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  前田辰郎 ,  安田哲二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522

Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。

公开(公告)号：CN103548126B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280024373.1

申请日：2012-06-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  市川磨 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  前田辰郎 ,  安田哲二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522

Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。