公开(公告)号：CN103384917B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。

公开(公告)号：CN111727179A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980013790.8

申请日：2019-02-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 中田邦彦 ,  青木健志

IPC: C04B35/457 ,  C01G19/02 ,  C01G35/00 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供与以往的氧化锡系烧结体相比具有更低的体积电阻率的氧化锡系烧结体以及这样的氧化锡系烧结体的制造方法。本发明的氧化锡系烧结体实质上由锡和氧构成，体积电阻率小于1.0×10－1Ω·cm。并且，本发明的氧化锡系烧结体的制造方法包含：得到至少含有SnO粉末的原料粉末的工序，将原料粉末以填充率为40％以上的方式填充到金属密闭舱的工序和将填充于金属密闭舱的原料粉末供于密闭舱HIP法得到烧结体的工序。

公开(公告)号：CN109196626A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780032385.1

申请日：2017-05-23

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 青木健志 ,  中田邦彦

IPC: H01L21/363 ,  C01G9/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及的金属氮氧化物半导体膜的制造方法中，将选自锌及锡中的至少1种金属元素的氧化物溅射靶材在包含80体积％以上的氮气的气氛气体中在1.5Pa以下的压力条件下供于溅射。

公开(公告)号：CN103384917A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。