公开(公告)号：CN103563068B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201280024791.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。

公开(公告)号：CN103563068A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280024791.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。

公开(公告)号：CN103384917A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。

公开(公告)号：CN103563069A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026103.4

申请日：2012-06-11

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  张睿 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。

公开(公告)号：CN103384917B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280009842.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 青木健志 ,  山田永 ,  福原升 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  金相贤 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。