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公开(公告)号：CN111699287A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012502.7
申请日：2019-02-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 作为一个实施方式，提供一种半导体晶圆(1)，其具备：以Si作为主要成分的基板(10)，在基板(10)上形成的、以AlN层(11a)作为最下层的缓冲层(11)，以及在缓冲层11上形成的、包含Ga的氮化物半导体层12，AlN层(11a)的上表面的凹坑密度大于0且小于2.4×1010cm-2。
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