公开(公告)号：CN111051903B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201880054957.0

申请日：2018-08-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 角岛邦之 ,  星井拓也 ,  若林整 ,  筒井一生 ,  岩井洋 ,  山本大贵

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/338 ,  H01L21/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 作为一个实施方式，提供一种电荷俘获评价方法以及半导体元件，包括以下步骤：对具有HEMT结构的半导体元件(1)的源电极(15)及漏电极(16)与基板(10)之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为阈值电压的大小以上的初始化电压，从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷，来将俘获状态初始化；以及在俘获状态的初始化后，对在源电极(15)与漏电极(16)之间流动的电流进行监视，并对电荷捕获、电流崩塌及电荷放出中的至少一个进行评价。

公开(公告)号：CN111033711A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880054972.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 角岛邦之 ,  星井拓也 ,  若林整 ,  筒井一生 ,  岩井洋 ,  山本大贵

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/80

Abstract: 作为一个实施方式，提供一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法，包括以下步骤：对包括作为半导体层的GaN层(12)的半导体元件(1)施加电压并测定电流；以及使用测定出的电流的值来导出GaN层(12)中的电性缺陷浓度。

公开(公告)号：CN111051903A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880054957.0

申请日：2018-08-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 角岛邦之 ,  星井拓也 ,  若林整 ,  筒井一生 ,  岩井洋 ,  山本大贵

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/338 ,  H01L21/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 作为一个实施方式，提供一种电荷俘获评价方法以及半导体元件，包括以下步骤：对具有HEMT结构的半导体元件(1)的源电极(15)及漏电极(16)与基板(10)之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为阈值电压的大小以上的初始化电压，从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷，来将俘获状态初始化；以及在俘获状态的初始化后，对在源电极(15)与漏电极(16)之间流动的电流进行监视，并对电荷捕获、电流崩塌及电荷放出中的至少一个进行评价。