有机硅树脂组合物及半导体发光元件用封装材料

    公开(公告)号:CN108368341A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680074185.8

    申请日:2016-12-14

    CPC classification number: C08G77/14 C08K13/08 C08L83/04 H01L23/29 H01L23/31

    Abstract: 本发明提供对于制造UV稳定性高的有机硅树脂组合物的固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含至少一种有机硅树脂的有机硅树脂组合物,其满足下述(i)~(iii)的要件。(i)含有的硅原子实质上由A1硅原子及/或A2硅原子、和A3硅原子组成,相对于A1硅原子~A3硅原子的总含量而言,A3硅原子的含量的比例为50摩尔%以上99摩尔%以下。(ii)与前述硅原子键合的侧链为烷基、烷氧基或羟基,烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言低于5,羟基的摩尔比相对于烷基100而言为10以上。(iii)实质上不含金属催化剂,并且,含有不含金属的固化用催化剂,组合物中的固化用催化剂的浓度为600ppm以下。

    有机硅树脂组合物及半导体发光元件用封装材料

    公开(公告)号:CN108368343A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680074322.8

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 本发明提供对于制造UV稳定性高的有机硅树脂组合物的固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含至少一种有机硅树脂的有机硅树脂组合物,其满足下述(i)~(iii)的要件。(i)含有的硅原子实质上由选自A1硅原子及A2硅原子中的至少一种硅原子、和A3硅原子组成,相对于A1硅原子、A2硅原子及A3硅原子的总含量而言,A3硅原子的含量的比例为50摩尔%以上99摩尔%以下。(ii)与前述硅原子键合的侧链为碳原子数1~3的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或者羟基,烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言低于5,羟基的摩尔比相对于烷基100而言为10以上。(iii)实质上不含金属催化剂。

    氧化锌系透明导电膜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104871257A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201380066128.1

    申请日:2013-12-12

    Abstract: 氧化锌系透明导电膜,其为包含锌原子、氧原子、以及以下定义的M的氧化锌系透明导电膜,相对于构成该膜的总原子数,锌原子数与氧原子数与钛原子数与镓原子数与铝原子数的合计为99%以上,相对于该膜中包含的锌原子数、钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数的比例((钛原子数+镓原子数+铝原子数)/(锌原子数+钛原子数+镓原子数+铝原子数)×100)为1.3%以上且2.0%以下,相对于该膜中包含的钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数至少为50%,载流电子浓度为3.60×1020cm-3以下、迁移率为43.0cm2/Vs以上、以及电阻率为5.00×10-4Ω?cm以下。M:钛原子、钛原子和镓原子、钛原子和铝原子、或者、钛原子和镓原子和铝原子。

    紫外线发光半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109219892A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201780034189.8

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即,紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件,其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层,上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层,上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料,所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂,上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料,所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂,上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触。

    半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106030838B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201580008403.3

    申请日:2015-02-06

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其是包含基板、元件和密封材料作为构成构件的半导体发光装置的制造方法,该制造方法包括:第一工序,在基板上设置元件;第二工序,以覆盖元件的方式在基板上灌封选自加成聚合型密封材料及缩聚型密封材料中的至少一种固化前的密封材料(i);第三工序,使所灌封的固化前的密封材料(i)固化;和第四工序,在覆盖了元件的固化后的密封材料(i)上灌封固化前的缩聚型密封材料(ii),使所灌封的固化前的缩聚型密封材料(ii)固化,由此层叠密封材料。本发明还提供利用该制造方法制造的半导体发光装置,其为层叠2层以上的密封材料而成的半导体发光装置。

    有机硅树脂组合物及其应用

    公开(公告)号:CN108368344A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680074337.4

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 本发明提供对于制造显示出高耐热冲击性的有机硅系树脂固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含有机硅树脂的树脂组合物,其中,树脂组合物含有的硅原子实质上由选自A1硅原子及A2硅原子中的至少一种硅原子、和A3硅原子组成,相对于A1硅原子、A2硅原子及A3硅原子的总含量而言,A3硅原子的含量的比例为50摩尔%以上99摩尔%以下,与前述硅原子键合的侧链包含碳原子数1~3的烷基、和碳原子数1或2的烷氧基,烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言为5以上。

    氧化锌系透明导电膜
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104871257B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201380066128.1

    申请日:2013-12-12

    Abstract: 氧化锌系透明导电膜,其为包含锌原子、氧原子、以及以下定义的M的氧化锌系透明导电膜,相对于构成该膜的总原子数,锌原子数与氧原子数与钛原子数与镓原子数与铝原子数的合计为99%以上,相对于该膜中包含的锌原子数、钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数的比例(钛原子数+镓原子数+铝原子数)/(锌原子数+钛原子数+镓原子数+铝原子数)×100)为1.3%以上且2.0%以下,相对于该膜中包含的钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数至少为50%,载流电子浓度为3.60×1020cm-3以下、迁移率为43.0cm2/Vs以上、以及电阻率为5.00×10-4Ω・cm以下。M:钛原子、钛原子和镓原子、钛原子和铝原子、或者、钛原子和镓原子和铝原子。

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