半导体激光器装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104956555A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201480006900.5

    申请日:2014-03-12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体激光器装置,即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下,也能够使来自这些多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤,因此能够得到高光输出。本发明的半导体激光器装置中设置有来自多个半导体激光器阵列的光经由准直构件而入射的聚光透镜、以及来自聚光透镜的光所入射的光纤,其特征在于,在聚光透镜的光入射面上由来自多个半导体激光器阵列的各光形成光入射列,多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自半导体激光器阵列的光到达聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同,来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到光入射列中除了最外侧以外的位置。

    半导体激光光源装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108604766A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780009106.X

    申请日:2017-02-02

    Inventor: 吉野雅也

    Abstract: 提供一种能够在PIV中抑制因示踪粒子的影导致测量结果的精度降低的技术。半导体激光光源装置具有:光源部,包含沿第一方向排列的多个发射极;以及透镜,将从多个发射极射出的激光转换为在第二方向上平行。透镜包含按照多个发射极的每一个,将从各个发射极射出的激光转换为在第二方向上平行的多个透镜区域。在多个发射极中的至少两个发射极和两个发射极所对应的两个透镜区域中,在以各个发射极在第二方向上的位置为基准时,发射极所对应的透镜区域在第二方向上的位置不同。

    半导体激光器装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104956555B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201480006900.5

    申请日:2014-03-12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体激光器装置,即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下,也能够使来自这些多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤,因此能够得到高光输出。本发明的半导体激光器装置中设置有来自多个半导体激光器阵列的光经由准直构件而入射的聚光透镜、以及来自聚光透镜的光所入射的光纤,其特征在于,在聚光透镜的光入射面上由来自多个半导体激光器阵列的各光形成光入射列,多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自半导体激光器阵列的光到达聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同,来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到光入射列中除了最外侧以外的位置。

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