公开(公告)号：CN102652367B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN114846570B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202080089861.5

申请日：2020-12-07

Applicant: 京瓷株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 卫藤和也 ,  谷川康太郎 ,  村上泰

IPC: H01G4/32 ,  C08J5/18 ,  C08K3/08 ,  C08K5/07 ,  C08L101/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本公开的薄膜电容器用电介质薄膜包括：(A)热塑性树脂和(B)金属二酮配合物。

公开(公告)号：CN114901758A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080089823.X

申请日：2020-12-07

Applicant: 京瓷株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 卫藤和也 ,  谷川康太郎 ,  村上泰

IPC: C08L101/00 ,  C08K5/07 ,  H01G4/32

Abstract: 本公开的绝缘性树脂包含(A)热塑性树脂和(B)金属二酮配合物。

公开(公告)号：CN114901758B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202080089823.X

申请日：2020-12-07

Applicant: 京瓷株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 卫藤和也 ,  谷川康太郎 ,  村上泰

IPC: C08L101/00 ,  C08K5/07 ,  H01G4/32

Abstract: 本公开的绝缘性树脂包含(A)热塑性树脂和(B)金属二酮配合物。

公开(公告)号：CN114846570A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080089861.5

申请日：2020-12-07

Applicant: 京瓷株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 卫藤和也 ,  谷川康太郎 ,  村上泰

IPC: H01G4/32 ,  C08J5/18 ,  C08K3/08 ,  C08K5/07 ,  C08L101/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本公开的薄膜电容器用电介质薄膜包括：(A)热塑性树脂和(B)金属二酮配合物。

公开(公告)号：CN102652367A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。