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公开(公告)号:CN102227874B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN200980147737.3
申请日:2009-11-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/171 , H01L41/047 , H01L41/0533 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/172 , H03H9/25 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明提供一种SAW装置(1),其具有传播弹性波的压电基板(3)、配置于压电基板(3)的第一表面(3a)上的梳状电极(6)。另外,SAW装置(1)具有:相对于第一表面(3a)配置且与梳状电极(6)电连接的柱状的端子(15)、覆盖端子(15)的侧面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一区域,第一表面(3a)侧的直径比第一表面(3a)的相反侧的直径大。
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公开(公告)号:CN102652394B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201180004898.4
申请日:2011-01-12
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H01L41/081 , H03H3/02 , H03H9/0038 , H03H9/02905 , H03H9/02992 , H03H9/15 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/6489
Abstract: SAW装置(1)具有:基板(3);设于基板(3)的第一主面(3a)的SAW元件(10);设于第一主面(3a)且与SAW元件(10)连接的第一配线(中间配线(29)及输出侧配线(31));层叠于第一配线的绝缘体(21);层叠于绝缘体(21)并与第一配线构成立体配线部(39)的第二配线(第二接地配线(33b)及第三接地配线(33c));密封SAW元件(10)及立体配线部(39)的盖体(5)。在第一主面(3a)与盖体(5)之间形成有不收容SAW元件(10)但收容立体配线部(39)的配线空间(53)。
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公开(公告)号:CN101682310A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880019791.5
申请日:2008-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H01L2224/11 , H01L2924/16235 , H03H9/059 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种没有特性恶化、能够由晶片工序一并形成的小型且高度低的弹性表面波装置及其制造方法。其中,所述弹性表面波装置具备:压电基板(1);IDT(2),其形成在所述压电基板(1)的一个主面上,且至少具备一个梳齿状电极;保护罩(6),其在所述一个主面上覆盖所述IDT(2),从而与所述一个主面一起形成中空的收容空间(7),所述保护罩(6)具有贯通孔(15),且至少一部分由含有包含氟的酸产生材料的光固化性材料构成。
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公开(公告)号:CN103119847B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201180046302.7
申请日:2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/14541 , H03H9/6406
Abstract: SAW元件(1)具有:基板(3);IDT电极(5),其由Al或以Al为主要成分的合金构成,且配置在基板(3)的上表面(3a)上;第一膜(9),其配置在IDT电极(5)的上表面上;保护层(11),其以氧化硅为主要成分,覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分,且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。
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公开(公告)号:CN102652394A
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201180004898.4
申请日:2011-01-12
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H01L41/081 , H03H3/02 , H03H9/0038 , H03H9/02905 , H03H9/02992 , H03H9/15 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/6489
Abstract: SAW装置(1)具有:基板(3);设于基板(3)的第一主面(3a)的SAW元件(10);设于第一主面(3a)且与SAW元件(10)连接的第一配线(中间配线(29)及输出侧配线(31));层叠于第一配线的绝缘体(21);层叠于绝缘体(21)并与第一配线构成立体配线部(39)的第二配线(第二接地配线(33b)及第三接地配线(33c));密封SAW元件(10)及立体配线部(39)的盖体(5)。在第一主面(3a)与盖体(5)之间形成有不收容SAW元件(10)但收容立体配线部(39)的配线空间(53)。
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公开(公告)号:CN102227874A
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN200980147737.3
申请日:2009-11-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/171 , H01L41/047 , H01L41/0533 , H03H3/08 , H03H9/02897 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/172 , H03H9/25 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明提供一种SAW装置(1),其具有传播弹性波的压电基板(3)、配置于压电基板(3)的第一表面(3a)上的梳状电极(6)。另外,SAW装置(1)具有:相对于第一表面(3a)配置且与梳状电极(6)电连接的柱状的端子(15)、覆盖端子(15)的侧面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一区域,第一表面(3a)侧的直径比第一表面(3a)的相反侧的直径大。
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公开(公告)号:CN102823131B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180016220.8
申请日:2011-04-18
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H03H9/0547
Abstract: SAW装置(1)具有:基板(3);位于基板(3)的第一主面(3a)上的SAW元件(11);位于SAW元件(11)上的罩(5)。另外,SAW装置(1)具有:形成在罩(5)的上表面上的导体层(增强层(8)或凸缘(7b));从该导体层向罩(5)内突出,且前端面及侧面被罩(5)覆盖的第一突部(31)或第二突部(33)。
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公开(公告)号:CN102823131A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201180016220.8
申请日:2011-04-18
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H03H9/0547
Abstract: SAW装置(1)具有:基板(3);位于基板(3)的第一主面(3a)上的SAW元件(11);位于SAW元件(11)上的罩(5)。另外,SAW装置(1)具有:形成在罩(5)的上表面上的导体层(增强层(8)或凸缘(7b));从该导体层向罩(5)内突出,且前端面及侧面被罩(5)覆盖的第一突部(31)或第二突部(33)。
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公开(公告)号:CN101682310B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200880019791.5
申请日:2008-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1092 , H01L2224/11 , H01L2924/16235 , H03H9/059 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种没有特性恶化、能够由晶片工序一并形成的小型且高度低的弹性表面波装置及其制造方法。其中,所述弹性表面波装置具备:压电基板(1);IDT(2),其形成在所述压电基板(1)的一个主面上,且至少具备一个梳齿状电极;保护罩(6),其在所述一个主面上覆盖所述IDT(2),从而与所述一个主面一起形成中空的收容空间(7),所述保护罩(6)具有贯通孔(15),且至少一部分由含有包含氟的酸产生材料的光固化性材料构成。
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公开(公告)号:CN101803189A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880106577.3
申请日:2008-10-30
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/105 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H03H9/059 , H03H9/1085 , H03H9/1092 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够抑制由保护盖变形而导致的电气特性恶化、可靠性良好的弹性波装置及其制造方法。弹性波装置具有使弹性波传播的压电基板(1);配置在压电基板(1)的第1主面上的激励电极;与激励电极电连接的柱状外部连接用电极(10);具有收容激励电极的中空的收容空间(8)、并配置在第1主面上的保护盖(17);以及配置在保护盖(17)上、与外部连接用电极(10)连接的导体层(18)。
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