布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN113169136B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN201980077261.4

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明提供一种可得到包含AlN(氮化铝)的绝缘基板与Cu(铜)系的导体层的高密接强度的布线基板。布线基板具备包含AlN的绝缘基板、包含Cu的导体层、位于绝缘基板与导体层之间的中间层。关于中间层,在靠近绝缘基板的第1区域与靠近导体层的第2区域中,第2区域的Cu的浓度比第1区域的Cu的浓度高,第1区域的Al的浓度比第2区域的Al的浓度高。

    布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN116529870A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202180073797.6

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 布线基板具备:绝缘基板,其具有第1面、与第1面相反的第2面、和从第1面延续到第2面的贯通孔;贯通导体,其位于贯通孔内以及第1面侧的贯通孔的开口上;和布线导体,其位于第1面,与贯通导体相连。并且,贯通导体以及布线导体含铜作为主成分,贯通导体中的Cu晶粒的平均的大小比布线导体中的Cu晶粒的平均的大小大。

    布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN113614904B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202080023216.3

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 提供一种能够抑制Ni膜的剥离的布线基板。还提供一种具备了这样的布线基板的电子装置以及电子模块。具备:包含AlN的绝缘基板,具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面;包含Cu的导体,位于第1面上;以及Ni膜,遍及导体的上表面、侧面以及第1面而设置。还具有散布在第1面上的多个Ti氧化物,Ni膜具有与Ti氧化物接触的部分。

    布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN113614904A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202080023216.3

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 提供一种能够抑制Ni膜的剥离的布线基板。还提供一种具备了这样的布线基板的电子装置以及电子模块。具备:包含AlN的绝缘基板,具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面;包含Cu的导体,位于第1面上;以及Ni膜,遍及导体的上表面、侧面以及第1面而设置。还具有散布在第1面上的多个Ti氧化物,Ni膜具有与Ti氧化物接触的部分。

    布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN118661475A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202380020911.8

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 布线基板具有基体,所述基体具有第一面和位于第一面的相反侧的第二面,基体具有:第一层粒子,位于第一面侧的表层;第二层粒子,与第一层粒子在第二面侧相邻;金属层,至少位于第一层粒子与第二层粒子之间;第一粘接层,位于第一层粒子与金属层之间,并与第一层粒子和金属层相接;以及第二粘接层,位于第二层粒子与金属层之间,并与第二层粒子和金属层相接。

    布线基板、电子装置以及电子模块

    公开(公告)号:CN113169136A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980077261.4

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明提供一种可得到包含AlN(氮化铝)的绝缘基板与Cu(铜)系的导体层的高密接强度的布线基板。布线基板具备包含AlN的绝缘基板、包含Cu的导体层、位于绝缘基板与导体层之间的中间层。关于中间层,在靠近绝缘基板的第1区域与靠近导体层的第2区域中,第2区域的Cu的浓度比第1区域的Cu的浓度高,第1区域的Al的浓度比第2区域的Al的浓度高。

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