公开(公告)号：CN116529870A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180073797.6

申请日：2021-10-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 竹岛祐城 ,  细井义博 ,  釜濑祐志 ,  山下恭平

IPC: H01L23/13

Abstract: 布线基板具备：绝缘基板，其具有第1面、与第1面相反的第2面、和从第1面延续到第2面的贯通孔；贯通导体，其位于贯通孔内以及第1面侧的贯通孔的开口上；和布线导体，其位于第1面，与贯通导体相连。并且，贯通导体以及布线导体含铜作为主成分，贯通导体中的Cu晶粒的平均的大小比布线导体中的Cu晶粒的平均的大小大。

公开(公告)号：CN113169136B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN201980077261.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山下恭平 ,  细井义博

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供一种可得到包含AlN(氮化铝)的绝缘基板与Cu(铜)系的导体层的高密接强度的布线基板。布线基板具备包含AlN的绝缘基板、包含Cu的导体层、位于绝缘基板与导体层之间的中间层。关于中间层，在靠近绝缘基板的第1区域与靠近导体层的第2区域中，第2区域的Cu的浓度比第1区域的Cu的浓度高，第1区域的Al的浓度比第2区域的Al的浓度高。

公开(公告)号：CN113169136A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077261.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山下恭平 ,  细井义博

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供一种可得到包含AlN(氮化铝)的绝缘基板与Cu(铜)系的导体层的高密接强度的布线基板。布线基板具备包含AlN的绝缘基板、包含Cu的导体层、位于绝缘基板与导体层之间的中间层。关于中间层，在靠近绝缘基板的第1区域与靠近导体层的第2区域中，第2区域的Cu的浓度比第1区域的Cu的浓度高，第1区域的Al的浓度比第2区域的Al的浓度高。