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公开(公告)号：CN114762090A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082042.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/31
Abstract: 本发明是被曝露于等离子体的面由{100}面的单晶钇铝石榴石(YAG)形成的耐等离子体性构件、以及使用了该耐等离子体性构件的等离子体处理装置用零件和等离子体处理装置。具有多个被曝露于等离子体中的面时，至少最被要求耐等离子体性的面由{100}面的单晶YAG形成。
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