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公开(公告)号：CN114402422A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080059243.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L21/033 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 半导体元件的制造方法：在基板(11)的表面上设置具有开口(12a)并对该开口的周围上表面区域实施了设置给定的构造的加工的掩模(12)，使半导体从自开口露出的基板的表面外延生长到周围上表面区域上为止，制作具有转印了所述给定的构造的半导体层(13)的半导体元件。一个给定的构造为基于具有台阶的形状的构造。另一个给定的构造为基于选择性地配置的元素的构造，被转印的元素向半导体层移动。
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