公开(公告)号：CN114402422A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080059243.6

申请日：2020-09-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 东克典 ,  小松直佳 ,  泽田达郎 ,  中里佑介 ,  平山知央

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/033 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体元件的制造方法：在基板(11)的表面上设置具有开口(12a)并对该开口的周围上表面区域实施了设置给定的构造的加工的掩模(12)，使半导体从自开口露出的基板的表面外延生长到周围上表面区域上为止，制作具有转印了所述给定的构造的半导体层(13)的半导体元件。一个给定的构造为基于具有台阶的形状的构造。另一个给定的构造为基于选择性地配置的元素的构造，被转印的元素向半导体层移动。

公开(公告)号：CN113711365A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080028828.1

申请日：2020-04-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中里佑介 ,  平山知央

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 半导体装置(100)在层叠于半导体基板(101)的n型半导体层(102)的上表面形成沟道(104)，在形成该沟道的一个侧面(S3)的n型区域(102A)的上表面形成与金属(106)的肖特基结，在形成该沟道的另一个侧面(S2)的n型区域(102)的上表面形成pn结。pn结基于在形成所述另一个侧面的n型区域的上表面通过外延生长而晶体生长的p型半导体层(103A)和该n型区域的接合。