阵列基板及其制作方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103474435A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310425475.0

    申请日:2013-09-17

    CPC classification number: H01L27/124 G02F1/1345 H01L27/1248 H01L27/1259

    Abstract: 本发明公开一种阵列基板及其制作方法,为解决现有的阵列基板中信号线均位于同一层,以实现信号线间的等电阻而使部分信号线水平弯折,从而导致布线区域的信号线密度小,驱动数量多,成本高等问题而设计。所述阵列基板包括设置在非显示区域的多个布线区域,所述布线区域内设置有若干信号线,每一所述布线区域内至少部分所述信号线由位于不同层的导线串接而成;同一布线区域内任意两根信号线的电阻差均在阈值范围内。本发明所述的阵列基板及其制作方法,将传统的位于阵列基板一层内的信号线,改变成位于多层之间的信号线,有利于信号线间的电阻差小于阈值且信号线的弯折半径小,信号线集中密度大,减少了驱动数量,达到了降低成本的目的。

    一种液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置

    公开(公告)号:CN109212832B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN201811277312.1

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置,其中,液晶显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板以及驱动芯片,第一基板包括:第一衬底基板和设置在第一衬底基板上的阵列排列的像素,第二基板包括:第二衬底基板和设置在第二衬底基板上的光源组件;光源组件包括:阵列排列的光源,每个光源在第二衬底基板上的正投影覆盖至少一个像素在第二衬底基板上的正投影,每个光源与驱动芯片电连接,用于在驱动芯片的控制下发出光线。本发明实施例中通过光源组件设置在第二基板上,并通过驱动芯片控制每个光源,不仅降低了TFT‑LCD的功耗,而且还能够显示纯黑图像,使得TFT‑LCD能够显示更加完善的色域。

    显示基板、显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN109656067A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201910087349.6

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明提供一种显示基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,可降低扇出区不同长度的导线之间的电阻差异。该显示基板包括扇出区和位于扇出区内的扇出结构层;扇出区包括中间子区和两侧的侧子区;扇出结构层包括位于中间子区内的中间导线和位于侧子区内的多条扇出导线;中间导线及扇出导线均沿第一方向间隔排列,且扇出导线的长度均大于中间导线的长度;位于扇出区内的导电连接层,导电连接层包括至少一个导电组,至少有一条扇出导线对应有一个导电组;导电组包括至少一个导电条;扇出导线与对应的导电组中的导电条并联,以降低并联后的该条扇出导线与中间导线之间的电阻差值。用于显示基板及包括该显示基板的显示面板、显示装置的制备。

    一种基板加工设备及待加工基板的对位控制方法

    公开(公告)号:CN106711074A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201710006065.0

    申请日:2017-01-04

    CPC classification number: H01L21/681 G02F1/1303

    Abstract: 本发明实施例提供一种基板加工设备及待加工基板的对位控制方法,涉及半导体技术领域。能够解决在基板加工设备对待加工基板进行对位时,由于对位标记反光性能较差,导致对位结果不准确的问题。基板加工设备包括:载台,用于承载待加工基板,待加工基板上设有对位标记,对位标记为遮光材质。光源,设置于载台的一侧。图像传感器,设置于载台的另一侧。其中,光源用于朝向待加工基板发出光线,且光线经待加工基板到达图像传感器,以便图像传感器采集包含对位标记的图像;光源的照射区域至少将对位标记的外边缘包围在内。

    薄膜晶体管及制造方法、阵列基板行驱动电路和显示装置

    公开(公告)号:CN106463545A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201680000573.1

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本申请公开一种薄膜晶体管,其包括:基板;有源层,其设置在基板上,包括第一半导体区域、第二半导体区域和多个半导体桥,每个半导体桥均与第一半导体区域和第二半导体区域连接,多个半导体桥彼此隔开,有源层由包括M1OaNb的材料制成,其中M1是单金属或多种金属的组合,a>0且b≥0;刻蚀阻挡层,其设置在有源层的远离所述基板的一侧,第一半导体区域包括第一非重叠部分,第一非重叠部分在基板上的投影位于所述刻蚀阻挡层在基板上的投影以外,第二半导体区域包括第二非重叠部分,第二非重叠部分在基板上的投影位于刻蚀阻挡层在基板上的投影以外;第一电极,其位于第一非重叠部分的远离所述基板的一侧;和第二电极,其位于第二非重叠部分的远离所述基板的一侧。

    TDI图像传感器的焦距控制方法、装置及自动光学检测装置

    公开(公告)号:CN106019770A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610617753.6

    申请日:2016-07-29

    CPC classification number: G03B13/36 G01N21/958 G02F1/1309

    Abstract: 本发明公开了一种TDI图像传感器的焦距控制方法、装置及自动光学检测装置,属于电子技术领域。所述方法包括:在TDI图像传感器运行时,获取TDI图像传感器当前的温度;根据当前的温度以及目标焦距计算函数确定目标焦距;将TDI图像传感器的镜头的焦距调整至目标焦距。所述装置包括:获取模块、第一确定模块、调整模块、TDI图像传感器、TDI图像传感器的焦距控制装置。本发明通过获取到的TDI图像传感器当前的温度以及目标焦距计算函数确定目标焦距,并将TDI图像传感器的镜头的焦距调整至目标焦距,在温度变化时,可实现镜头焦距的实时调节,保证焦距的准确性,从而提高扫描得到的灰阶图的清晰度,提高设备检出率。

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