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公开(公告)号：CN113437227B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010210035.3
申请日：2020-03-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光薄膜及制备方法、电致发光器件，涉及显示技术领域，该发光薄膜的荧光量子产率较高，采用该发光薄膜制备的电致发光器件的外量子效率较高，能够满足高品质的显示需求。一种发光薄膜包括：结晶的蓝光钙钛矿材料、以及接枝在所述结晶的蓝光钙钛矿材料上的卤化的胺配体材料；其中，所述结晶的蓝光钙钛矿材料包括三维钙钛矿纳米晶；所述卤化的胺配体材料包括：第一卤化的铵配体材料和第二卤化的铵配体材料，所述第一卤化的铵配体材料和所述第二卤化的铵配体材料不同。本发明适用于发光薄膜以及电致发光器件的制作。
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公开(公告)号：CN111484845A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010327862.0
申请日：2020-04-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种蓝光核壳量子点的制备方法，包括：以有机磷为磷源制备磷前驱体溶液；以铟无机盐作为铟源制备铟前驱体溶液；其中，所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液中，铟原子和磷原子的摩尔比为1:1；所述采用热注入法，利用所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液生成InP量子点；在所述InP量子点表面包覆壳层，得到所述蓝光核壳量子点。该方法制备的量子点材料，不含重金属离子，具有更好的生物兼容性，且荧光发射具有优良的可调性。
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公开(公告)号：CN117062895B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280000426.X
申请日：2022-03-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 提供了一种量子点的制备方法、量子点、以及显示装置。该方法包括以下步骤：提供第一前驱体溶液、第二前驱体溶液、第一硒前驱体溶液以及反应活性小于所述第一硒前驱体溶液的第二硒前驱体溶液；将所述第一硒前驱体溶液加入到所述第二前驱体溶液中，形成所述量子点的中间体；以及执行以下步骤至少一次以形成量子点：无需清洗所述量子点的中间体，将所述第一前驱体溶液和所述第二硒前驱体溶液加入到所述量子点的中间体中并进行反应。
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公开(公告)号：CN114981385B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202080003637.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 提供了一种ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置。该方法包括以下步骤：制备第一锌前驱体溶液、第二锌前驱体溶液、第一硒前驱体溶液以及反应活性小于所述第一硒前驱体溶液的第二硒前驱体溶液；将所述第一硒前驱体溶液加入到所述第二锌前驱体溶液中，形成所述ZnSe量子点的中间体；执行以下步骤至少一次以形成所述ZnSe量子点：将所述第一锌前驱体溶液和所述第二硒前驱体溶液先后加入到所述ZnSe量子点的中间体中并进行反应。
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公开(公告)号：CN113437227A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010210035.3
申请日：2020-03-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光薄膜及制备方法、电致发光器件，涉及显示技术领域，该发光薄膜的荧光量子产率较高，采用该发光薄膜制备的电致发光器件的外量子效率较高，能够满足高品质的显示需求。一种发光薄膜包括：结晶的蓝光钙钛矿材料、以及接枝在所述结晶的蓝光钙钛矿材料上的卤化的胺配体材料；其中，所述结晶的蓝光钙钛矿材料包括三维钙钛矿纳米晶；所述卤化的胺配体材料包括：第一卤化的铵配体材料和第二卤化的铵配体材料，所述第一卤化的铵配体材料和所述第二卤化的铵配体材料不同。本发明适用于发光薄膜以及电致发光器件的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110636420A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910913436.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜扬声器、薄膜扬声器的制备方法以及电子设备，所述薄膜扬声器包括：柔性薄膜基底以及设置在所述柔性薄膜基底上的多个阵元模块，每个所述阵元模块包括薄膜晶体管和薄膜振动结构；其中，所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、有源层、第一极和第二极；所述薄膜振动结构包括由振动薄膜、侧墙和所述柔性薄膜基底形成的振动空腔，其中，所述侧墙环绕一周形成在所述柔性薄膜基底上，所述振动薄膜封盖在所述侧墙上；所述振动薄膜包括层叠设置的第一电极层、压电薄膜和第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管的所述第一极耦接。在本发明实施例中，所述薄膜扬声器可以弯折甚至卷曲，可以被安装在表面形状较为复杂的电子设备上。
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公开(公告)号：CN113795566B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202080000438.3
申请日：2020-03-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子点结构、其制作方法及量子点发光器件，量子点结构，包括：核结构；壳层，包裹在核结构的表面；其中，核结构在靠近壳层的部位具有至少一种壳前驱体元素；壳前驱体元素为与壳层中的元素相同的元素。通过在形成团簇结构的阶段加入含配位溶剂的壳前驱体得到的，在成核过程中，配位溶剂具有表面钝化作用，减缓了纳米团簇结构转化为核结构的过程，可以改善量子点成核过程的可控性，壳前驱体吸附在纳米团簇结构的表面，可以避免量子点成核过程中发生高温熟化，在继续成核的过程中，使形成的核结构的尺寸分布更加均一，提升了量子点结构的色纯度。
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公开(公告)号：CN114981385A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080003637.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 提供了一种ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置。该方法包括以下步骤：制备第一锌前驱体溶液、第二锌前驱体溶液、第一硒前驱体溶液以及反应活性小于所述第一硒前驱体溶液的第二硒前驱体溶液；将所述第一硒前驱体溶液加入到所述第二锌前驱体溶液中，形成所述ZnSe量子点的中间体；执行以下步骤至少一次以形成所述ZnSe量子点：将所述第一锌前驱体溶液和所述第二硒前驱体溶液先后加入到所述ZnSe量子点的中间体中并进行反应。
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公开(公告)号：CN113795566A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080000438.3
申请日：2020-03-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子点结构、其制作方法及量子点发光器件，量子点结构，包括：核结构；壳层，包裹在核结构的表面；其中，核结构在靠近壳层的部位具有至少一种壳前驱体元素；壳前驱体元素为与壳层中的元素相同的元素。通过在形成团簇结构的阶段加入含配位溶剂的壳前驱体得到的，在成核过程中，配位溶剂具有表面钝化作用，减缓了纳米团簇结构转化为核结构的过程，可以改善量子点成核过程的可控性，壳前驱体吸附在纳米团簇结构的表面，可以避免量子点成核过程中发生高温熟化，在继续成核的过程中，使形成的核结构的尺寸分布更加均一，提升了量子点结构的色纯度。
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公开(公告)号：CN111423870A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010236101.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子点结构、其制作方法及量子点发光器件，该量子点结构，包括：核结构及壳层；其中，核结构，包括：通过化学键结合的第一金属元素，至少一种第二金属元素，以及非金属元素；其中，第一金属元素为Ⅲ族元素，非金属元素为Ⅴ族元素，第二金属元素为不同于第一金属元素的金属元素；在核结构从内向外的方向上，第一金属元素的含量呈减少的趋势，各第二金属元素的含量总和呈增大的趋势，核结构的光学带隙呈增大的趋势；壳层，包裹在核结构的表面。
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