制冷方法和具有脉冲载荷的设备

    公开(公告)号:CN102803866B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201180014746.2

    申请日:2011-02-28

    CPC classification number: F25B9/00 H01F6/04 H02K9/10 H02K55/00

    Abstract: 一种用于托卡马克(11)的构件(1)的脉冲负载制冷的方法,所述方法使用使诸如氦之类的工作流体经历工作循环(3)的制冷装置(2),所述托卡马克(11)包括称为“周期性和对称的”的至少一种操作模式,根据所述方法,当所述托卡马克(11)处于等离子体生成相位时(Dp),由所述冷却装置(2)产生的冷却功率升高至相对高的水平,而当所述托卡马克(11)不再处于等离子体生成相位时(Dnp),由所述冷却装置(2)产生的冷却功率降低至相对低的水平,所述方法的特征在于,在所述托卡马克(11)的所述“周期性和对称的”操作相位期间,根据也属于“周期性和对称的”类型——亦即其中生成高制冷水平和生成低制冷功率水平的相应时长最多相差30%——的强制变化来调整所述制冷装置(2)的制冷功率,并且制冷功率的变化带来制冷功率的逐渐升高或降低,并且响应于在所述托卡马克(11)中的等离子体开始步骤期间——亦即在所述构件(1)上的热负载升高前——生成的信号(S)而提前触发由所述制冷装置(2)产生的制冷功率的升高。

    制冷方法和具有脉冲载荷的设备

    公开(公告)号:CN102803866A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201180014746.2

    申请日:2011-02-28

    CPC classification number: F25B9/00 H01F6/04 H02K9/10 H02K55/00

    Abstract: 一种用于托卡马克(11)的构件(1)的脉冲负载制冷的方法,所述方法使用使诸如氦之类的工作流体经历工作循环(3)的制冷装置(2),所述托卡马克(11)包括称为“周期性和对称的”的至少一种操作模式,根据所述方法,当所述托卡马克(11)处于等离子体生成相位时(Dp),由所述冷却装置(2)产生的冷却功率升高至相对高的水平,而当所述托卡马克(11)不再处于等离子体生成相位时(Dnp),由所述冷却装置(2)产生的冷却功率降低至相对低的水平,所述方法的特征在于,在所述托卡马克(11)的所述“周期性和对称的”操作相位期间,根据也属于“周期性和对称的”类型——亦即其中生成高制冷水平和生成低制冷功率水平的相应时长最多相差30%——的强制变化来调整所述制冷装置(2)的制冷功率,并且制冷功率的变化带来制冷功率的逐渐升高或降低,并且响应于在所述托卡马克(11)中的等离子体开始步骤期间——亦即在所述构件(1)上的热负载升高前——生成的信号(S)而提前触发由所述制冷装置(2)产生的制冷功率的升高。

    硅烷(SiH4)再循环方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101959794A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200980107597.7

    申请日:2009-02-18

    Abstract: 本发明涉及一种硅烷再循环方法,其包括如下连续步骤:a)将纯硅烷/纯氢气(SiH4/H2)混合物注入反应室中以制造含硅薄层;b)借助使用送料气的泵抽取包含步骤a)中未使用的过量硅烷和氢气的混合物(SiH4/H2);c)在接近大气压力的压力下由所述泵排出包含至少硅烷(SiH4)、氢气(H2)和非零量所述送料气的混合物;和d)将硅烷(SiH4)与来自步骤c)的混合物产生的氢气/送料气混合物分离,如此所得硅烷包含小于100ppm送料气,优选小于10ppm送料气,更优选小于1ppm送料气;其特征在于至少50%,优选至少70%,更优选至少80%来自步骤b)的硅烷(SiH4)在步骤d)之后再用于新的步骤a)。

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