公开(公告)号：CN1956213A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610136555.4

申请日：2006-10-25

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  财团法人日本精细陶瓷中心

Inventor： 关章宪 ,  谷由加里 ,  柴田典义

IPC: H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/36

Abstract: 一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的半导体材料，使用该半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面，富－碳表面满足比率R＝(I284.5/I282.8)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器(XPS)测量时，I282.8(ISiC)是在与化学计量SiC有关的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度，以及I284.5(IC)是在与石墨、SiCx(x＞1)或SiyCH1－y(y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度。

公开(公告)号：CN101496175B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200780028312.1

申请日：2007-08-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  财团法人日本精细陶瓷中心

Inventor： 关章宪 ,  谷由加里 ,  柴田典义

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置，在飘移层(30)上设有构成源电极(100)与漏电极(110)之间的载流子流路的一部分的沟道层(40)。沟道层(40)由形成于飘移层(30)上的Ge粒状晶体与覆盖该Ge粒状晶体的帽层构成。

公开(公告)号：CN101496175A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028312.1

申请日：2007-08-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  财团法人日本精细陶瓷中心

Inventor： 关章宪 ,  谷由加里 ,  柴田典义

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置，在飘移层(30)上设有构成源电极(100)与漏电极(110)之间的载流子流路的一部分的沟道层(40)。沟道层(40)由形成于飘移层(30)上的Ge粒状晶体与覆盖该Ge粒状晶体的帽层构成。