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公开(公告)号:CN110069093A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201910058182.0
申请日:2019-01-22
Abstract: 本发明涉及电源控制装置。该电源控制装置具备包括第一判定元件和第二判定元件的第一过电压检测电路。第一过电压检测电路构成为根据第一判定元件的输出与第二判定元件的输出的逻辑积来检测输出电压的过电压状态。第一判定元件构成为判定来自第一检测元件的反馈电压低于第一基准电压这一情况,第二判定元件构成为判定来自第二检测元件的过电压检测用电压高于第二基准电压这一情况,其中,上述第二检测元件与第一检测元件并联连接并检测输出电压作为过电压检测用电压。
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公开(公告)号:CN109698684B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN201811221832.0
申请日:2018-10-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于开关的驱动电路,驱动多个开关并将目标阈值设定为与流至切换完成开关的电流相关的物理量进行比较的阈值,切换完成开关被驱动以完成从第一状态和第二状态中的一个状态到另一个状态的切换。在第一状态下,允许电流流至至少一个开关。在第二状态下,阻止电流流至所有开关。驱动电路在第一接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第一目标阈值,在第二接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第二目标阈值,其中,在第一接通驱动周期中,仅切换完成开关被接通驱动,在第二接通驱动周期中,多个开关全部被接通驱动。第一目标阈值大于第二目标阈值。
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公开(公告)号:CN110069093B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201910058182.0
申请日:2019-01-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及电源控制装置。该电源控制装置具备包括第一判定元件和第二判定元件的第一过电压检测电路。第一过电压检测电路构成为根据第一判定元件的输出与第二判定元件的输出的逻辑积来检测输出电压的过电压状态。第一判定元件构成为判定来自第一检测元件的反馈电压低于第一基准电压这一情况,第二判定元件构成为判定来自第二检测元件的过电压检测用电压高于第二基准电压这一情况,其中,上述第二检测元件与第一检测元件并联连接并检测输出电压作为过电压检测用电压。
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公开(公告)号:CN109698684A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811221832.0
申请日:2018-10-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于开关的驱动电路,驱动多个开关并将目标阈值设定为与流至切换完成开关的电流相关的物理量进行比较的阈值,切换完成开关被驱动以完成从第一状态和第二状态中的一个状态到另一个状态的切换。在第一状态下,允许电流流至至少一个开关。在第二状态下,阻止电流流至所有开关。驱动电路在第一接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第一目标阈值,在第二接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第二目标阈值,其中,在第一接通驱动周期中,仅切换完成开关被接通驱动,在第二接通驱动周期中,多个开关全部被接通驱动。第一目标阈值大于第二目标阈值。
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公开(公告)号:CN117616878A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202280042593.0
申请日:2022-05-26
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在俯视观察时,第一导电部(A)具有顶部为变圆形状的凸角部(AC),第二导电部(B)具有与凸角部相对的凹角部(BC)。与凸角部连续地形成第一导电部的轮廓的两条直线的延长线形成凸角。与凹角部连续地形成第二导电部的轮廓的两条直线的延长线形成凹角。以下,将经过凸角的顶点(aC)和凹角的顶点(bC)的直线设为角线(Lab),将角线与凸角部的交点设为凸角部点(aP),将角线与凹角部的交点设为凹角部点(bP)。从凸角部点到凹角部点的距离即角部间距离(Dp)长于从凸角的顶点到凹角的顶点的距离即角间距离(Dc)。
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公开(公告)号:CN119053876A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202380029035.5
申请日:2023-03-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 德舛彰
Abstract: 一种短路检测电路(20、30),适用于具备阴极与绝缘栅型的半导体开关元件(11)的高电位侧端子连接的二极管(12)、以及一端与二极管的阳极侧连接、另一端与半导体开关元件的低电位侧端子连接的电容器(14)的退饱和检测电路(1、10),检测半导体开关元件(11)的短路,具备:栅极电压端子(21),其获取半导体开关元件的栅极电压;退饱和电压端子(22),其获取与电容器的电压对应的退饱和电压;判定电路(28、29),其基于栅极电压超过规定的栅极电压阈值和退饱和电压超过规定的退饱和电压阈值,检测出半导体开关元件短路。
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公开(公告)号:CN117501432A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280041299.8
申请日:2022-05-26
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 第一导电部(A)具有第一表层部(A1)和在基板(49)的内部构成与第一表层部不同的层的第一内层部(A2~A4)。第二导电部(B)具有与第一表层部隔着爬电距离(G)相对的第二表层部(B1)和在基板的内部构成与第二表层部不同的层的第二内层部(B2~B4)。在电子设备(40)中设置有以下所示的第一突出结构和第二突出结构这两个突出结构中的至少任一个突出结构。第一突出结构是第一内层部具有比第一表层部更向第二导电部侧(Db)突出的导电突出部(ρ)的结构。第二突出结构是第二内层部具有比第二表层部更向第一导电部侧(Da)突出的导电突出部的结构。
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