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公开(公告)号：CN108695429B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810261596.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。提供一种使热电动势改善了的热电转换材料及其制造方法。热电转换材料及其制造方法，该热电转换材料具备母材和阻挡材料，上述母材含有Mg2Si1‑xSnx(x为0.50～0.80)和n型掺杂剂，并且上述阻挡材料含有Mg2Si1‑ySny(y为0～0.30)。据此，可提供一种用阻挡材料阻止少数载流子的移动，从而使热电动势改善了的热电转换材料及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104379698A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201280074101.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 须藤裕之
IPC: C09K11/02 , C09K11/77 , H01L31/055
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/0328 , H01L31/035218 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 本发明主要目的在于，提供一种可提高上转换效率的复合粒子、使用该复合粒子的复合粒子分散体及使用该复合粒子分散体的光伏装置。本发明为按如下制成的光伏装置：制成如下的复合粒子，该复合粒子具备具有稀土离子及保持该稀土离子的保持剂的芯部和覆盖该芯部的一部分或全部的半导体部，其中，该稀土离子具有上转换效应，保持剂使用带隙比使上述稀土离子中产生第二阶段的激发所需要的能量差宽的半导体或绝缘体，半导体部使用带隙不足稀土离子的第一激发状态和基底状态的能量差的半导体；将该复合粒子配置在支持剂内，制成复合粒子分散体，从光的前进方向上游侧起，依次配置光电转换部、该复合粒子分散体和光反射部。
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公开(公告)号：CN108695429A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810261596.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。提供一种使热电动势改善了的热电转换材料及其制造方法。热电转换材料及其制造方法，该热电转换材料具备母材和阻挡材料，上述母材含有Mg2Si1‑xSnx(x为0.50～0.80)和n型掺杂剂，并且上述阻挡材料含有Mg2Si1‑ySny(y为0～0.30)。据此，可提供一种用阻挡材料阻止少数载流子的移动，从而使热电动势改善了的热电转换材料及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104379698B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280074101.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 须藤裕之
IPC: C09K11/02 , C09K11/77 , H01L31/055
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/0328 , H01L31/035218 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 本发明主要目的在于，提供一种可提高上转换效率的复合粒子、使用该复合粒子的复合粒子分散体及使用该复合粒子分散体的光伏装置。本发明为按如下制成的光伏装置：制成如下的复合粒子，该复合粒子具备具有稀土离子及保持该稀土离子的保持剂的芯部和覆盖该芯部的一部分或全部的半导体部，其中，该稀土离子具有上转换效应，保持剂使用带隙比使上述稀土离子中产生第二阶段的激发所需要的能量差宽的半导体或绝缘体，半导体部使用带隙不足稀土离子的第一激发状态和基底状态的能量差的半导体；将该复合粒子配置在支持剂内，制成复合粒子分散体，从光的前进方向上游侧起，依次配置光电转换部、该复合粒子分散体和光反射部。
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公开(公告)号：CN102473746B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN200980160181.1
申请日：2009-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 须藤裕之
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/035218 , Y02E10/548 , Y10S977/932 , Y10S977/948
Abstract: 本发明的主要目的在于提供能够提高光电转换效率的光电转换元件。本发明的光电转换元件包括p层、n层、配置在p层与n层之间的i层、与p层连接的第一电极、以及与n层连接的第二电极，i层包括由第一半导体构成的壁层以及由配置在该壁层中的第二半导体构成的量子结构部，第一半导体的带隙比第二半导体的带隙宽，在将i层的厚度方向中央能够含有的n型杂质的浓度设为Cn1、将i层的p层侧区域能够含有的n型杂质的浓度设为Cn2、将i层的厚度方向中央能够含有的p型杂质的浓度设为Cp1、以及将i层的n层侧区域能够含有的p型杂质的浓度设为Cp2时，Cn1＜Cn2和/或Cp1＜Cp2。
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公开(公告)号：CN102473746A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980160181.1
申请日：2009-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 须藤裕之
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/035218 , Y02E10/548 , Y10S977/932 , Y10S977/948
Abstract: 本发明的主要目的在于提供能够提高光电转换效率的光电转换元件。本发明的光电转换元件包括p层、n层、配置在p层与n层之间的i层、与p层连接的第一电极、以及与n层连接的第二电极，i层包括由第一半导体构成的壁层以及由配置在该壁层中的第二半导体构成的量子结构部，第一半导体的带隙比第二半导体的带隙宽，在将i层的厚度方向中央能够含有的n型杂质的浓度设为Cn1、将i层的p层侧区域能够含有的n型杂质的浓度设为Cn2、将i层的厚度方向中央能够含有的p型杂质的浓度设为Cp1、以及将i层的n层侧区域能够含有的p型杂质的浓度设为Cp2时，Cn1＜Cn2和/或Cp1＜Cp2。
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