等离子体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107452588B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201710271263.X

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 本发明涉及等离子体装置。利用等离子体对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备:真空容器,具备第一模和第二模,所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部,所述第二模与第一模对向地配置;绝缘部件,配置于第一平面部与第二模之间,在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触;以及电力施加部,向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点中的最靠近所述第一平面部的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。

    用于燃料电池的分离器的制造方法

    公开(公告)号:CN105449238B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201510594003.7

    申请日:2015-09-17

    Inventor: 小泉雅史

    Abstract: 一种用于燃料电池的分离器的制造方法,该制造方法是一种用于通过CVD在钛基材(41)上形成碳涂覆膜(50)的方法,钛基材(41)在钛基材(41)的表面上具有氧化钛层(41a)。该方法包括:形成其中将在其表面上具有氧化钛层(41a)的钛基材(41)置于真空氛围中的状态的步骤;在形成碳涂覆膜(50)之前或者在碳涂覆膜(50)正在形成时利用具有等于或者短于390nm的波长的光照射钛基材(41)的氧化钛层(41a)的表面的照射步骤;和在于照射步骤中利用光照射的氧化钛层(41a)的表面上形成碳涂覆膜的步骤。

    等离子体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107452588A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710271263.X

    申请日:2017-04-24

    CPC classification number: H01J37/32366 H01J37/32431 H01J37/32798

    Abstract: 本发明涉及等离子体装置。通过等离子体CVD法对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备:真空容器,具备第一模和第二模,所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部,所述第二模与第一模对向地配置;绝缘部件,配置于第一平面部与第二模之间,在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触;以及电力施加部,向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。

    等离子体CVD装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106133190B

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201580014820.9

    申请日:2015-03-16

    Abstract: 提供在使用了高电压的情况下也能抑制异常放电的等离子体CVD装置。等离子体CVD装置(100)的特征在于,具备:形成等离子体空间的腔室(61)、配置于贯通腔室(61)的壁(61a)的端子导入孔(62)的电力导入端子(10),电力导入端子(10)具有绝缘件(21)和棒状导电体(11),绝缘件(21)具有贯通孔(22),棒状导电体(11)插通于贯通孔(22),棒状导电体(11)的一端配置在腔室(61)内,棒状导电体(11)的另一端与向腔室(61)内供给电力的电源(E)电连接,绝缘件(21)的内壁面(211)与棒状导电体(11)之间的间隙小于2mm,从绝缘件(21)的配置于腔室(61)内的等离子体空间的一端至绝缘件(21)与棒状导电体(11)的接点(221)为止的距离比10mm大。

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