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公开(公告)号：CN101473074B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200780011156.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 用硅原料填充石墨坩埚(10)，加热石墨坩埚(10)以形成熔融硅(M)，将至少一种稀土元素以及选自Sn、Al和Ge中的至少一种加入熔融硅(M)，并在熔融硅中保持从熔融硅内部向熔融硅表面(S)降温的温度梯度，同时从置于紧靠所述熔融液体的表面下方的碳化硅晶种(14)开始生长碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN101965419A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980102202.4
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 通过使碳化硅单晶基底与含C的溶液接触而使碳化硅单晶在该基底上生长的方法，所述含C的溶液是通过使C溶解到含Cr和由Ce和Nd中的至少一种元素构成的X的熔体中而制备的，使得Cr在该熔体整个组成中的比例为30至70原子％，且X在该熔体整个组成中的比例在X是Ce的情况下为0.5原子％至20原子％或者在X是Nd的情况下为1原子％至25原子％，并使碳化硅单晶从该溶液中生长。
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公开(公告)号：CN101910476A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102150.0
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101796227B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880025381.1
申请日：2008-11-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X(X为Ni和Co之中的至少一种)元素的Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高。
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公开(公告)号：CN101473074A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780011156.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 用硅原料填充石墨坩埚(10)，加热石墨坩埚(10)以形成熔融硅(M)，将至少一种稀土元素以及选自Sn、Al和Ge中的至少一种加入熔融硅(M)，并在熔融硅中保持从熔融硅内部向熔融硅表面(S)降温的温度梯度，同时从置于紧靠所述熔融液体的表面下方的碳化硅晶种(14)开始生长碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN101965419B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980102202.4
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 通过使碳化硅单晶基底与含C的溶液接触而使碳化硅单晶在该基底上生长的方法，所述含C的溶液是通过使C溶解到含Cr和由Ce和Nd中的至少一种元素构成的X的熔体中而制备的，使得Cr在该熔体整个组成中的比例为30至70原子％，且X在该熔体整个组成中的比例在X是Ce的情况下为0.5原子％至20原子％或者在X是Nd的情况下为1原子％至25原子％，并使碳化硅单晶从该溶液中生长。
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公开(公告)号：CN101910476B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980102150.0
申请日：2009-01-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN101796227A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880025381.1
申请日：2008-11-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方法的特征在于，使碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X(X为Ni和Co之中的至少一种)元素的Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，作为总组成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子％。可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高。
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